Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"III-antimonides"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
García Ruiz, Francisco Javier, González Marín, Enrique, Martínez Blanque, Celso Jesús, Tienda Luna, Isabel María, González-Medina, Jose María, Toral López, Alejandro, Donetti, Luca, Godoy Medina, Andrés
Publikováno v:
Digibug. Repositorio Institucional de la Universidad de Granada
instname
instname
The hole mobility of GaSb field-effect transistor nanowires is analyzed as a function of the device orientation and gate bias. To this purpose, a self-consistent Poisson-Schrödinger solver with an 88 k·p Hamiltonian is employed to study the elec
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::155d31d01d78ea2b7748792a75ab88d4
http://hdl.handle.net/10481/58490
http://hdl.handle.net/10481/58490
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. 80:224-231
High-brightness nitride-based LEDs have been grown on SiC substrates, which offers many advantages in the production both from epitaxial, chip and device processing point of view. Optimized InGaN/GaN/GaAlN MQW structures and improved chip and package
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.