Zobrazeno 1 - 10
of 127
pro vyhledávání: '"III-V material"'
Autor:
Masoud Sabaghi
Publikováno v:
Holos, Vol 1, Iss 0, Pp 1-12 (2020)
In this work, an III-V tunneling field-effect transistor (TFET) with source and channel heterojunctions is proposed and introduced. Proposed structure combine the high tunneling efficiency induced by heterojunction material and the high mobility of I
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ced5e3ae719b45fca972d3d29aecfc73
Autor:
Mohamed Fauzi Packeer Mohamed, Mohamad Faiz Mohamed Omar, Muhammad Firdaus Akbar Jalaludin Khan, Nor Azlin Ghazali, Mohd Hendra Hairi, Shaili Falina, Mohd Syamsul Nasyriq Samsol Baharin
Publikováno v:
Micromachines, Vol 12, Iss 12, p 1497 (2021)
Conventional pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMTs) with lattice-matched InGaAs/InAlAs/InP structures exhibit high mobility and saturation velocity and are hence attractive for the fabrication of three-terminal low-noise and high-fr
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3bb0cdc7fe0f455e82773736bb267da2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
France, R.M., Feifel, Markus, Belz, J., Beyer, A., Volz, K., Ohlmann, Jens, Lackner, David, Dimroth, Frank
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 506:61-70
We investigate the material properties of GaAsP graded buffers on both GaP and Si substrates in order to determine limitations to dislocation glide in GaAsP. Phase separation is not observed in these GaAsP buffers, but CuPtB atomic ordering is presen
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::7543f13e1cd0387c8dc62883f0024f39
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.10.007
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.10.007
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Mohamad Faiz Mohamed Omar, Muhammad Firdaus Akbar Jalaludin Khan, Mohd Syamsul Nasyriq Samsol Baharin, Mohd Hendra Hairi, Nor Azlin Ghazali, Mohamed Fauzi Packeer Mohamed, Shaili Falina
Publikováno v:
Micromachines, Vol 12, Iss 1497, p 1497 (2021)
Micromachines
Micromachines; Volume 12; Issue 12; Pages: 1497
Micromachines
Micromachines; Volume 12; Issue 12; Pages: 1497
Conventional pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMTs) with lattice-matched InGaAs/InAlAs/InP structures exhibit high mobility and saturation velocity and are hence attractive for the fabrication of three-terminal low-noise and high-fr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4841cfd7f4caa7a414c18c5a7a548d57
https://www.mdpi.com/2072-666X/12/12/1497
https://www.mdpi.com/2072-666X/12/12/1497
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.