Zobrazeno 1 - 10 of 3 617 pro vyhledávání: '"III-V material"'
1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
3
Akademický článek
III-V material growth on electrochemically porosified Ge substrates
Autor: Winter, E., Schreiber, W., Schygulla, P., Souza, P.L., Janz, S., Lackner, D., Ohlmann, J.
Publikováno v: In Journal of Crystal Growth 15 January 2023 602
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
An ultra-thin SiO2 ALD layer for void-free bonding of III–V material on silicon
Autor: Talneau, A., Pantzas, K., Durnez, A., Patriarche, G., Alamarguy, D., Le Bourhis, E.
Publikováno v: In Microelectronic Engineering 16 August 2016 162:40-44
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
8
Dissertation/ Thesis
The design and fabrication of an optical nanoelectromechanical switch based in a III-V material system
Autor: Bryant, Reginald (Reginald Eugene), 1978
Thesis (S.M.)--Massachusetts Institute of Technology, Dept. of Electrical Engineering and Computer Science, 2001.
Includes bibliographical references (leaves 58-59).
by Reginald Bryant.
S.M.
Externí odkaz: http://hdl.handle.net/1721.1/86787
Zobrazit plný text záznamu
9
III-V material growth on electrochemically porosified Ge substrates
Autor: E. Winter, W. Schreiber, P. Schygulla, P.L. Souza, S. Janz, D. Lackner, J. Ohlmann
Publikováno v: Journal of Crystal Growth. 602:126980
III-V semiconductor materials for high-efficiency multi-junction solar cells are often grown on germanium (Ge) substrates. However, apart from being considered as a rare element, Ge substrates are one of the major cost shares of a III-V multi-junctio
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::907bb9c7e8638a00cccd883a59ac4360
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.126980
Zobrazit plný text záznamu
10
Silicon Minority-carrier Lifetime Degradation During Molecular Beam Heteroepitaxial III-V Material Growth
Autor: Chaomin Zhang, Nikolai Faleev, Christiana B. Honsberg, Tine Uberg Nærland, Laura Ding, Mariana I. Bertoni
Publikováno v: Energy Procedia. 92:617-623
A major hindrance to the development of devices integrating III-V materials on silicon, where it is an active component of the device, is the preservation of its electronic quality. In this contribution, we report on our effort to identify the mechan
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e4f69e7ab0529792a0b1a850d8908dc1
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje