Zobrazeno 1 - 10
of 25
pro vyhledávání: '"III-V devices"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
This letter presents a D -band low-noise amplifier (LNA) in 250-nm InP HBT technology for the next-generation wireless applications. The LNA has a measured peak gain of 13 dB, a 3-dB bandwidth greater than 20 GHz (120–140 GHz), and a measured noise
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::64a6016da7c973a978a98438eea3f1f0
https://hdl.handle.net/20.500.14017/90377d17-e55e-4464-9c30-1ae28ad4d36e
https://hdl.handle.net/20.500.14017/90377d17-e55e-4464-9c30-1ae28ad4d36e
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Thomas Zwick, Axel Tessmann, Ingmar Kallfass, U. J. Lewark, Sebastian Diebold, Sandrine Wagner, Arnulf Leuther
Publikováno v:
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 62:1343-1351
A compact broadband unit cell for the design of broadband frequency multipliers is presented. Based on design methods from moderate frequencies, a novel integrated balanced field-effect transistor architecture is introduced, pushing ultra-broadband b
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::16e41a75f2f680e60ed07301390e6860
https://doi.org/10.1109/tmtt.2014.2318272
https://doi.org/10.1109/tmtt.2014.2318272
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
A CAD approach (using a hybrid finite-element Green's function strategy) is described for the thermal analysis of GaAs and III-V compound semiconductor devices and integrated circuits. The approach is based on a computationally efficient 3D large-sca
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::13d5d3be302c78f6ccea2ae16450e557
http://hdl.handle.net/11583/2499405
http://hdl.handle.net/11583/2499405
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.