Zobrazeno 1 - 10
of 1 884
pro vyhledávání: '"III-V Semiconductor"'
Autor:
Thomas J. Rehaag, Gavin R. Bell
Publikováno v:
Molecules, Vol 29, Iss 12, p 2825 (2024)
InBi is a topological nodal line semimetal with strong spin–orbit coupling. It is epitaxially compatible with III–V semiconductors and, hence, an attractive material for topological spintronics. However, growth by molecular beam epitaxy (MBE) is
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/cc1e2e3d4dc7477883015195da8cb514
Autor:
Natan Monvoisin, Weronika Głowadzka, Franck Carcenac, Stéphane Calvez, Olivier Gauthier-Lafaye, Antoine Monmayrant, Marcin Gȩbski, Tomasz Czyszanowski, Guilhem Almuneau
Publikováno v:
JPhys Photonics, Vol 7, Iss 1, p 015005 (2024)
This paper demonstrates the fabrication of near-infrared transparent electrodes customized for specific light polarization. We achieve this by employing semiconductor deep subwavelength monolithic high-contrast gratings (MHCG) integrating metal strip
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/458497deefb444f59b013a65c6c71726
Autor:
Nicklas Anttu, Elisabetta Maria Fiordaliso, José Cano Garcia, Giuliano Vescovi, David Lindgren
Publikováno v:
Micromachines, Vol 15, Iss 1, p 157 (2024)
We present the characterization of a pn-junction GaAs nanowire. For the characterization, current–voltage, electron-beam-induced current, cathodoluminescence, and electron holography measurements are used. We show that by combining information from
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/aa9bfb0a1de745898f457e9b16439971
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
P. Huang, Q. H. Luc, A. Sibaja-Hernandez, H. L. Ko, J. Y. Wu, N. A. Tran, N. Collaert, E. Y. Chang
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 854-859 (2022)
This work demonstrates the high-frequency characteristics of In0.53Ga0.47As nanowire with scaled wire width by implementing TCAD simulations. The physical models and correlated parameters have been calibrated to the experiments (Ko et al., 2022). As
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/bb9a70ec48e64b449eadf8becf2a3716