Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"III nitride wide gap semiconductors"'
Autor:
Cédric Leclere, D. Camacho, Bruno Gayral, Ana Cros, Karine Hestroffer, G. Tourbot, Hubert Renevier, Bruno Daudin, Catherine Bougerol, Yann-Michel Niquet, Diane Sam-Giao, Rafael Mata
Publikováno v:
Physics Procedia. 28:5-16
After discussing the GaN NW nucleation issue, we will present the structural properties of axial and radial (i.e. core/shell) GaN/AlN NW heterostructures and adress the issue of critical thickness during the growth of such heterostructures. Next, we
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1aff91de9cd4996387270bcd0299460a
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 11/1/2002, Vol. 92 Issue 9, p5347, 12p, 1 Diagram, 1 Chart, 5 Graphs
This book addresses material growth, device fabrication, device application, and commercialization of energy-efficient white light-emitting diodes (LEDs), laser diodes, and power electronics devices. It begins with an overview on basics of semiconduc
