Zobrazeno 1 - 10
of 37
pro vyhledávání: '"IGBT transistor"'
Publikováno v:
Elektronika ir Elektrotechnika, Vol 29, Iss 3, Pp 11-18 (2023)
This paper deals with the design, implementation, and measurements of a frequency converter with bipolar sinusoidal pulse width modulation (SPWM) of output voltage for two-phase induction motors. The paper is dedicated to an analysis of the operation
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/719edd2f2db74b2eae75cb75ed26412a
Autor:
Andrzej Mondzik
Publikováno v:
Energies, Vol 16, Iss 12, p 4642 (2023)
This article presents the concept of switching and conduction loss reduction in a T-NPC inverter based on IGBT transistors. The method of limiting switching losses involves the connection of an LC circuit designed to cause transistors in vertical bra
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6c1c41d1d9bc45398ad488314beb8755
Autor:
Mondzik, Andrzej
Publikováno v:
Energies; Volume 16; Issue 12; Pages: 4642
This article presents the concept of switching and conduction loss reduction in a T-NPC inverter based on IGBT transistors. The method of limiting switching losses involves the connection of an LC circuit designed to cause transistors in vertical bra
Autor:
Lukić Milan, Ninković Predrag
Publikováno v:
Zbornik Radova: Elektrotehnički Institut "Nikola Tesla", Vol 26, Iss 26, Pp 53-68 (2016)
This paper presents a novel single-channel IGBT driver circuit together with a procedure for testing and verification. It is based on a specialized integrated circuit with complete range of protective functions. Experiments are performed to test and
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/620ed8c534bf41c08e262dd69491fa09
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Elektrotehnìka ta Elektroenergetika, Vol 0, Iss 1, Pp 51-57 (2012)
У зв’язку із застосуванням частотно-регульованих приводів спостерігається генерація у живлячу мережу вищих гармонійних складових, то
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/601dd42fad8f43ea99c7e07df6e02328
Autor:
Vytautas Bleizgys, Andrius Platakis
Publikováno v:
Mokslas: Lietuvos Ateitis, Vol 2, Iss 1 (2010)
The impact of Insulated Gate Bipolar Transistor driver circuit parameters on the rise and fall time of the collector current and voltage collector-emitter was investigated. The influence of transistor driver circuit parameters on heating of Insulated
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9e9fd080b27243f5b1fd5e727fb9eadf
Autor:
Predrag Ninkovic, Milan Lukic
Publikováno v:
Zbornik Radova: Elektrotehnički Institut "Nikola Tesla", Vol 26, Iss 26, Pp 53-68 (2016)
Zbornik radova, Elektrotehnički institut "Nikola Tesla" (2016) (26):53-68
Zbornik radova, Elektrotehnički institut "Nikola Tesla" (2016) (26):53-68
This paper presents a novel single-channel IGBT driver circuit together with a procedure for testing and verification. It is based on a specialized integrated circuit with complete range of protective functions. Experiments are performed to test and
Autor:
Isembergenov, N. T.
В данной статье рассматривается силовой преобразователь частоты на IGBT-транзисторах, который состоит из двух силовых транзисторов, что
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______917::ac634f0861fd2d83d6dbcc0639eab0a5
https://elibrary.ru/item.asp?id=35105387
https://elibrary.ru/item.asp?id=35105387
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.