Zobrazeno 1 - 4 of 4 pro vyhledávání: '"IDLTS"'
1
Approche duale de modélisation TCAD et de caractérisations électriques approfondies pour la détermination de la signature et de la localisation des pièges dans les HEMT GaN sur substrat SiC
Autor: Bouslama, Mohamed
Publikováno v: Electronique. Université de Limoges, 2020. Français. ⟨NNT : 2020LIMO0076⟩
GaN-based HEMTs have already demonstrated their supreme potential for all high power and high frequency applications. However, this technology suffers from limitations due to complex trapping/de-trapping mechanisms that occurs in the device and that
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2592::14f2a4fc9921a61377a416ade113aacd
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03149025
Zobrazit plný text záznamu
2
Dual approach including TCAD modelling and advanced electrical characterization to determine localization and traps signature of GaN HEMTs. on SiC substrate
Autor: Bouslama, Mohamed
Publikováno v: Electronique. Université de Limoges, 2020. Français. ⟨NNT : 2020LIMO0076⟩
GaN-based HEMTs have already demonstrated their supreme potential for all high power and high frequency applications. However, this technology suffers from limitations due to complex trapping/de-trapping mechanisms that occurs in the device and that
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::14f2a4fc9921a61377a416ade113aacd
https://theses.hal.science/tel-03149025
Zobrazit plný text záznamu
3
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje