Zobrazeno 1 - 10
of 81
pro vyhledávání: '"I.V. Malikov"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied Surface Science. 610:155471
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied Surface Science. :260-264
We present the results of surface investigations of novel heteroepitaxial metallic low-dimensional structures fabricated on the basis of high-quality single-crystalline refractory-metal films (W(1 0 0) with thickness of 30–2000 A on r -plane sapphi
Autor:
I.V. Malikov, G.M. Mikhailov
Publikováno v:
Thin Solid Films. 360:278-282
Mo–Nb and Nb–Mo epitaxial thin (10–200 nm) films growth on the r- sapphire plane under ultra high vacuum by laser ablation deposition at the growth temperature 750°C were tested. Grown films were characterized by reflected high energy electron
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Thin Solid Films. 293:315-319
The investigation of the growth-temperature effect on electrical conductivity, measured at room and helium temperatures, as well as on structure, defined by reflection high-energy electron diffraction measurement, of thin tungsten and niobium films,
Publikováno v:
Applied Surface Science. 45:257-262
The growth rate dependence of W films on temperature and H 2 pressure, the temperature dependence of their specific resistivity and the thickness dependence of their surface roughness have been investigated for LPCVD, remote plasma CVD with and witho