Zobrazeno 1 - 10
of 84
pro vyhledávání: '"I.T. Yoon"'
Autor:
J.M. Myoung, I.T. Yoon
Publikováno v:
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 40:3009-3013
We have investigated the temperature-dependent photoluminescence (PL) spectra in Ga1−xMnxN layers (where x≈0.1–0.8%) grown on sapphire (0 0 0 1) substrates using the plasma-enhanced molecular beam epitaxy technique. All the layers doped with ma
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::581ac53899bf41a108cf042600aeb91d
https://doi.org/10.1016/j.physe.2008.03.010
https://doi.org/10.1016/j.physe.2008.03.010
Publikováno v:
Journal of Physics and Chemistry of Solids. 62:607-611
Ge-doped In 0.5 Ga 0.5 P epilayers grown on semi-insulating GaAs(100) substrates by the liquid phase epitaxy technique were investigated by using photoluminescence (PL) and Hall effect measurements. The Ge dopant existing in the In 0.5 Ga 0.5 P showe
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8f096bfb05631b63e90649ff3a0520c3
https://doi.org/10.1016/s0022-3697(00)00224-9
https://doi.org/10.1016/s0022-3697(00)00224-9
Autor:
H. L. Park, I.T. Yoon
Publikováno v:
Thin Solid Films. 340:297-300
The temperature-dependent Hall mobility and carrier concentration of Sn-doped In 0.5 Ga 0.5 P epilayers grown on (100) semi-insulating GaAs substrates by the liquid phase epitaxy technique have been investigated in the range of 77–300 K. It was fou
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f7df53301016cc898586d9281813dbc3
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(98)01229-2
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(98)01229-2
Publikováno v:
Solid State Communications. 103:49-54
Zn-doped In0.5Ga0.5P epilayers grown on semi-insulating (1 0 0) GaAs substrates by liquid phase epitaxy (LPE) technique have been investigated using photoluminescence (PL) measurements from 17 K to 300 K. Transitions involving acceptors are identifie
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f8c14461690461c5f54857b9d1742e2c
https://doi.org/10.1016/s0038-1098(97)00086-0
https://doi.org/10.1016/s0038-1098(97)00086-0
Publikováno v:
Thin Solid Films. 302:270-274
The Burstein—Moss shift was observed for the first time in heavily Te-doped In0.5Ga0.5P epilayers grown by liquid phase epitaxy. The photoluminescence transition energy was calculated using the carrier concentration dependent Fermi energy and the o
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::79d6fa6591d0645fa5f825e40864a304
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(97)00009-6
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(97)00009-6
Publikováno v:
Thin Solid Films. 300:284-288
Zn diffusion of an In 0.5 Ga 0.5 P layer grown on semi-insulating GaAs substrate by the liquid phase epitaxy technique has been investigated using photoluminescence (PL) measurements. The PL spectrum shows a characteristic emission peak of In 0.5 Ga
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8fe929b34e205174bd5642e036db9f4a
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(96)09466-7
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(96)09466-7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.