Zobrazeno 1 - 10
of 17
pro vyhledávání: '"I.S. Antonov"'
Autor:
M.B. Semenov, V.D. Krevchik, D.O. Filatov, D.A. Antonov, A.V. Shorokhov, A.P. Shkurinov, I.A. Ozheredov, P.V. Krevchik, A.V. Razumov, A.S. Kotov, I.S. Antonov, I.M. Semenov
Publikováno v:
Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics. 13:621-627
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b6bd7b3a0a3b277c24f88c056e48f7c1
https://doi.org/10.17586/2220-8054-2022-13-6-621-627
https://doi.org/10.17586/2220-8054-2022-13-6-621-627
Autor:
I.S. Antonov, A.K. Malik, D.O. Filatov, A. K. Aringazin, Y. Dakhnovsky, A. V. Shorokhov, O.N. Gorshkov, Tian-Rong Li, Yu-Hua Wang, V.D. Krevchik, P. V. Krevchik, V.Y. Timoshenko, S. Zhuang, R. V. Zaytsev, Y. Zhu, Alexander P. Shkurinov, I.M. Semenov, M.B. Semenov, A. V. Nikolaev
Publikováno v:
Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics. 9:724-734
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dcf13c72cca3668028c197a8d7b3ae7e
https://doi.org/10.17586/2220-8054-2018-9-6-724-734
https://doi.org/10.17586/2220-8054-2018-9-6-724-734
Autor:
A.E. Zhurina, M. B. Semenov, A. V. Shorokhov, P. V. Krevchik, I.S. Antonov, V. D. Krevchik, D.A. Saburova, M.O. Marychev, N.V. Baidus, I.M. Semenov, Alexander P. Shkurinov, V.Y. Timoshenko, D. O. Filatov
Publikováno v:
Journal of Physics: Conference Series. 1851:012016
We report on the results of experimental studies of the photocurrent (PC) of photodiodes based on GaAs p-i-n structures with InAs/GaAs(001) double asymmetric quantum dot (DAQD) arrays obtained by self-assembling in the process of low-pressure metal-o
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::24d4c346b687622b3be731b3f3d5cf84
https://doi.org/10.1088/1742-6596/1851/1/012016
https://doi.org/10.1088/1742-6596/1851/1/012016
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
P. V. Krevchik, R. V. Zaitsev, I.S. Antonov, V. Yu. Timoshenko, M. B. Semenov, V. D. Krevchik, D.A. Saburova, Alexander P. Shkurinov, I.M. Semenov, D. O. Filatov, A. V. Shorokhov
Publikováno v:
Journal of Physics: Conference Series. 1199:012027
Temperature effects of lD-dissipative tunneling for the two-well oscillator potential model within the strong dissipation limit for the case of semiconductor QDs of InAs, were analyzed using a combined atomic force and scanning tunneling microscope.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::487afc82eedc2424e8c2d1abeb2f5259
https://doi.org/10.1088/1742-6596/1199/1/012027
https://doi.org/10.1088/1742-6596/1199/1/012027
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.