Zobrazeno 1 - 10
of 152
pro vyhledávání: '"I.P. Marko"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
E. V. Lutsenko, Vitaly Z. Zubialevich, Michael Heuken, A. L. Gurskii, G. P. Yablonskii, O. Schön, Bernd Schineller, V. N. Pavlovskii, I.P. Marko
Publikováno v:
physica status solidi (b). 228:361-364
Time-integrated and time-resolved photoluminescence (PL) spectra as well as the luminescence transients of moderately doped GaN:Mg samples grown by MOVPE were studied between 80 K and 380 K at pulse excitation by a nitrogen laser beam in order to cla
Autor:
Bernd Schineller, Michael Heuken, O. Schön, G. P. Yablonskii, Evgenii V. Lutsenko, V. N. Pavlovskii, M. Lünenbürger, Harry Protzmann, A. L. Gurskii, I.P. Marko, Vitaly Z. Zubialevich
Publikováno v:
physica status solidi (a). 188:79-82
Lasing under optical pumping by N 2 -laser radiation in InGaN/GaN multiple quantum well heterostructures grown in AIXTRON MOVPE reactors was achieved and investigated in the wavelength range of 450-470 nm. The laser operation wavelength depends most
Autor:
I.P. Marko, G. P. Yablonskii, K. Heime, V. N. Pavlovskii, E. V. Lutsenko, Bernd Schineller, Michael Heuken
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. 80:322-326
Interrelation between stimulated and excitonic emission intensity of GaN epitaxial layers and yellow luminescence intensity as well as correlation between photoluminescence and laser properties of InGaN based multiple quantum well heterostructures wa
Autor:
I.P. Marko, G. P. Yablonskii, Michael Heuken, A.I. Stognij, M. Lünenbürger, O. Schön, E. V. Lutsenko, A. V. Mudryi, Harry Protzmann, B. Schneller, K. Heime, V. N. Pavlovskii
Publikováno v:
physica status solidi (a). 180:149-155
Publikováno v:
physica status solidi (a). 180:351-356
Autor:
M. Lünenbürger, G. P. Yablonskii, Harry Protzmann, B. Schneller, E. V. Lutsenko, O. Schön, Michael Heuken, K. Heime, V. N. Pavlovskii, I.P. Marko
Publikováno v:
physica status solidi (b). 216:491-494
Lasing, stimulated emission and photoluminescence in InGaN/GaN multiquantum well (MQW) heterostructures were investigated in a wide temperature interval from the liquid nitrogen temperature up to 600 K. Laser action was achieved up to T = 585 K in a
Autor:
K. Heime, I.P. Marko, Harry Protzmann, Bernd Schineller, E. V. Lutsenko, M. Lünenbürger, G. P. Yablonskii, O. Schön, V. N. Pavlovskii, Michael Heuken
Publikováno v:
physica status solidi (b). 216:175-179
The influence of ultraviolet light-assisted annealing on the optical properties of InGaN/GaN single quantum wells (SQW), and thick single and double heterostructures (SH, DH) was investigated. It was shown that annealing promotes an increase of the p