Zobrazeno 1 - 10
of 21
pro vyhledávání: '"I.N. Arsentiev"'
Autor:
V. V. Shamakhov, A. S. Lenshin, Monika Rinke, Pavel Seredin, I.N. Arsentiev, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, A. V. Zhabotinskii, D. N. Nikolaev, I. S. Tarasov
Publikováno v:
Semiconductors. 51:122-130
The structural, optical, and energy properties of epitaxial Al x Ga1 – x As:Mg/GaAs(100) heterostructures at different levels of doping with Mg are studied by high-resolution X-ray diffraction analysis and Raman and photoluminescence spectroscopies
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4460cb98a6dd5072848e380293e51403
https://doi.org/10.1134/s1063782617010213
https://doi.org/10.1134/s1063782617010213
Autor:
Pavel Seredin, I.N. Arsentiev, V. M. Kashkarov, A. S. Lenshin, A. D. Bondarev, I. S. Tarasov, A. N. Lukin
Publikováno v:
Materials Science in Semiconductor Processing. 39:551-558
The objective of this paper is to obtain nano-sized Al2O3 strips on the surface of nanoporous silicon surface as well as fundamental investigations of structural, optical and morphological properties of the materials. While analysing the results, we
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::efa3cdf91541fc19f20333beea24f015
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2015.05.067
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2015.05.067
Publikováno v:
Materials Science in Semiconductor Processing. 38:107-112
Using structural and spectroscopic methods, we have studied epitaxial layers of AlxGa1−xAs solid solutions with n-conductivity obtained by means of MOCVD epitaxy. During carbon doping of AlxGa1−xAs solid solutions at 1.2–6.7*1017 сm−3, the m
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ebdf9cd5f0207fb326ee580375e074a2
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2015.04.015
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2015.04.015
Autor:
V. S. Slipokurov, A. V. Zorenko, A. V. Sachenko, A. S. Slepova, A. V. Bobyl, V.V. Shynkarenko, V. P. Kladko, Alexander Belyaev, I.N. Arsentiev, R. V. Konakova, N. V. Safryuk, V. M. Kovtonyuk, Ya. Ya. Kudryk, N. S. Boltovets, A. I. Gudymenko
Publikováno v:
Semiconductor Physics Quantum Electronics and Optoelectronics. 18:317-323
Experimental data on manufacturing the ohmic contacts Au–Ti–Pd–n⁺-InP, formed using vacuum deposition of metal onto a heated to 300 °C substrate representing an epitaxial n⁺-n-n⁺⁺-n⁺⁺⁺-InP structure. The specific contact resistan
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c5cd48bd5f5d353e1889174f1cf7a159
https://doi.org/10.15407/spqeo18.03.317
https://doi.org/10.15407/spqeo18.03.317
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Production Enterprise Tiamas, Yevpatoria, Ukraine, A.F. Sorokin, M.Y. Zakharova, V.N. Nesteruk, I.S. Tarasov, V.P. Vlasenko, A.M. Tsyukh, R.N. Zaluzhnyj, A.A. Sorokin, I.N. Arsentiev
Publikováno v:
Kosmìčna nauka ì tehnologìâ. 12:8-11
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::40c02d72a5c7f36233c037762cdfd227
https://doi.org/10.15407/knit2006.02.008
https://doi.org/10.15407/knit2006.02.008
Autor:
Alexander Belyaev, S. G. Konnikov, Emil Rusu, N. S. Boltovets, V. V. Milenin, I.N. Arsentiev, E.P. Markovsky, A. V. Bobyl, I.S. Taraso, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, V. N. Ivanov
Publikováno v:
2005 15th International Crimean Conference Microwave & Telecommunication Technology.
We consider a novel technological approach to formation of structurally-perfect indium-phosphide and gallium-arsenide epitaxial n-layers grown on specially prepared porous n+-InP and n+-GaAs substrates. The structural properties of epitaxial layers a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f9f34fb3adad4b18919aa81fbfc5afbb
https://doi.org/10.1109/crmico.2005.1565069
https://doi.org/10.1109/crmico.2005.1565069
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.