Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"I.L. Beinikhes"'
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 7:1162-1169
The p3/2 energy levels of the hydrogen-like single acceptor in silicon are calculated down to 1.4 meV from the valence band using a non-variational method. The oscillator strength of the transitions from the ground state to the excited states are cal
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::999335ae3b31d9e76192474719468f3f
https://doi.org/10.1088/0268-1242/7/9/004
https://doi.org/10.1088/0268-1242/7/9/004
Publikováno v:
Materials Science Forum. :259-264
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::386aca071868f5a9661fc53795a945f5
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.65-66.259
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.65-66.259
Publikováno v:
Solid State Communications. 53:1083-1087
Numerical nonvariational methods are proposed for the calculation of energies and wave functions of bound states, ground state wave functions with the account of central cell corrections, and the orthonormalized wave functions of the continuous spect
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5b4e7bc62d2b9b09d01ffc8a0d1961e4
https://doi.org/10.1016/0038-1098(85)90884-1
https://doi.org/10.1016/0038-1098(85)90884-1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.