Ferroelectric properties of SOS and SOI pseudo-MOSFETs with HfO2 interlayers

Autor: V.I. Vdovin, V.A. Antonov, M.A. Ilnitsky, Konstantin V. Rudenko, A. V. Miakonkikh, Vladimir Popov, I.E. Tyschenko

Publikováno v: Solid-State Electronics. 159:63-70

The formation of a multi-crystalline HfO2 film, containing the ferroelectric phase OII (Pmn21) after a high-temperature annealing at 1100 °C, was experimentally observed by HREM for the first time in silicon-on-sapphire (SOS) structures obtained by

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fafb6bf4064f20252236ba25e43d9cc3
https://doi.org/10.1016/j.sse.2019.03.036

List of Contributors

Autor: I.O. Akhundov, V.Sh. Aliev, V.L. Alperovich, A.P. Anciferov, A.L. Aseev, A.K. Bakarov, I.I. Beterov, M.V. Budantsev, A.A. Bykov, A.V. Chaplik, A. Chin, I.A. Derebezov, D.V. Dmitriev, S.A. Dvoretsky, A.V. Dvurechenskii, M.V. Entin, V.M. Entin, L.I. Fedina, T.A. Gavrilova, K.V. Grachev, V.A. Gritsenko, A.K. Gutakovskii, A.V. Haisler, V.A. Haisler, D.G. Ikusov, D.R. Islamov, E.V. Ivanova, M.M. Kachanova, V.V. Kaichev, A.K. Kalagin, A.N. Karpov, D.M. Kazantsev, S.S. Kosolobov, A.S. Kozhukhov, D.A. Kozlov, V.D. Kuzmin, Z.D. Kvon, A.V. Latyshev, A.S. Mardezov, A.S. Medvedev, N.N. Mikhailov, A.G. Milekhin, D.A. Nasimov, I.G. Neizvestny, L.A. Nenasheva, E.B. Olshanetsky, T.V. Perevalov, A.G. Pogosov, D.A. Pokhabov, V.P. Popov, V.Ya. Prinz, V.G. Remesnik, S.V. Rihlicky, E.E. Rodyakina, D.I. Rogilo, K.N. Romanyuk, N.S. Rudaya, I.I. Ryabtsev, I.V. Sabinina, V.K. Sandyrev, A.A. Saraev, O.I. Semenova, D.V. Sheglov, A.A. Shevyrin, A.A. Shklyaev, V.A. Shvets, N.L. Shwartz, G.Yu. Sidorov, Yu.G. Sidorov, S.V. Sitnikov, E.V. Spesivcev, A.S. Terekhov, S.A. Teys, O.A. Tkachenko, V.A. Tkachenko, A.I. Toropov, D.B. Tretyakov, A.V. Tsarev, I.E. Tyschenko, I.N. Uzhakov, V.S. Varavin, S.A. Vitkalov, A.I. Yakimov, M.V. Yakushev, A.S. Yaroshevich, D.R.T. Zahn, M.V. Zamoryanskaya, E.Yu. Zhdanov, Yu.A. Zhivodkov

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0da5de83dc57a11bf54bce44596bd0a4
https://doi.org/10.1016/b978-0-12-810512-2.00028-7

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Carrier Accumulation in Silicon-On-Insulator Structures Containing Ge Nanocrystals in the Burried SiO2 Layer

Autor: I.E. Tyschenko, A.A. Frantsuzov, O.V. Naumova, B.I. Fomin, D.V. Nikolaev, V.P. Popov

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5c3e5e8683f154856065f03c1a944b3a
https://doi.org/10.4028/3-908451-13-2.77

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.