Zobrazeno 1 - 10
of 22
pro vyhledávání: '"I.E. Merkulova"'
Autor:
I.E. Merkulova
Publikováno v:
XXXVIII Сибирский теплофизический семинар, посвященный 65-летию Института теплофизики им. С.С.Кутателадзе СО РАН. Всероссийская конференция с элементами научной школы для молодых ученых. Труды конференции.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::12a34322f86dda877586add56ff3ec42
https://doi.org/10.53954/9785604859551_211
https://doi.org/10.53954/9785604859551_211
Publikováno v:
Vacuum. 208:111713
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::66b9e55a442435250e7c2d03888ce2d5
https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2022.111713
https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2022.111713
Publikováno v:
Journal of Non-Crystalline Solids. 518:43-50
The bonding structure and composition of amorphous silicon suboxide (a-SiOx, 0.25
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1e5f82c21308d46bd253037565a40484
https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2019.05.015
https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2019.05.015
Autor:
M. R. Sharafutdinov, V.A. Volodin, S. Ya. Khmel, I.E. Merkulova, A. O. Zamchiy, E. A. Baranov
Publikováno v:
Vacuum. 152:319-326
The effect of the annealing temperature on the optical and structural properties of the a-SiOx:H thin films prepared by gas-jet electron beam plasma chemical vapor deposition method was studied. Annealing was carried out at 600, 700, 800, 900 and 100
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7a3ac0b35bb33666e9b673ff4f9d7fde
https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2018.03.055
https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2018.03.055
Publikováno v:
Vacuum. 192:110462
In this work, polycrystalline silicon (poly-Si) thin films were synthesized using Au-induced crystallization of amorphous silicon suboxide for the first time. The structure and elemental composition of the substrate/Au/a-SiO0.4 stacked structure anne
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::20338682d7076ae9abd1b136ba3e9c14
https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2021.110462
https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2021.110462
Autor:
Anton K. Gutakovskii, Vladimir A. Volodin, A. O. Zamchiy, E. A. Baranov, Ilya V. Korolkov, V.I. Vdovin, I.E. Merkulova
Publikováno v:
Materials Letters. 293:129723
Aluminum-induced crystallization of a-SiO1.8 in the layer exchange mode was carried out. Annealing of a “SiO2 substrate/Al/a-SiO2 membrane/a-SiO1.8” stacked structure at 550 °C led to the formation of a continuous polycrystalline Si (poly-Si) th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4e0fa71697b5f8ecf9f2798d6caa183b
https://doi.org/10.1016/j.matlet.2021.129723
https://doi.org/10.1016/j.matlet.2021.129723
Publikováno v:
Materials Today: Proceedings. 4:11327-11330
We measured the absorption coefficients and extinction ratio of ferroelectric lead germanate in the range of 0.2 – 1.2 THz by means of terahertz time-domain spectroscopy. We observed dramatic changes in the dichroism of the crystal induced by tempe
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7b4502f180df0b0056bfd84c9be3dac5
https://doi.org/10.1016/j.matpr.2017.09.002
https://doi.org/10.1016/j.matpr.2017.09.002
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.