Zobrazeno 1 - 10
of 51
pro vyhledávání: '"I.D. Hawkins"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of End-to-End-testing. 404:4604-4607
Publikováno v:
Chinese Physics. 14:1644-1648
The hot-carrier effect (HCE) of deep-submicron PMOSFETs has been investigated. It is found that the HCE includes both generation of interface states and formation of positive fixed charges in the gate oxide. We present experimental evidences showing
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
This paper is to commemorate the work of Leszek Dobaczewski1 who devoted much of his life to the development and application of high resolution DLTS.Under good experimental conditions Laplace DLTS provides an order of magnitude higher energy resoluti
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2295::4242dcdae9e67da3d3b4b73d6517365f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.