Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"I.B. Khadk"'
Autor:
Sehwan Park, S.H. Woo, H.W. Kim, Dongchul Sung, Byoung-Nam Kim, Eung-Kwon Kim, J.R. Ahn, I.B. Khadk, Geun Young Yeom, J. Son, D.-H. Lee, Jihoon Park
Publikováno v:
Current Applied Physics. 20:1435-1440
Freestanding graphene on a trench has been fabricated extensively using a transfer process of chemical vapor deposition grown graphene. Here, we demonstrate that freestanding graphene can be grown directly on a trench without a transfer process. A sh
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0b35ab321afdbbdf4059214c8e49bfb0
https://doi.org/10.1016/j.cap.2020.09.010
https://doi.org/10.1016/j.cap.2020.09.010
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.