Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"I.A. Reizvikh"'
Publikováno v:
2003 Siberian Russian Workshop on Electron Devices and Materials. Proceedings. 4th Annual (IEEE Cat. No.03EX664).
The reasons for three-bilayer Ge nano-island nucleation on a Si(111) surface at low deposition rates, at the initial stages of wetting layer formation, were investigated. The simulation of Ge epitaxial growth on an atomically clean and flat Si(111) s
Publikováno v:
Proceedings. 3rd Annual Siberian Russian Workshop on Electron Devices and Materials.
Reasons of three-layer Ge island nucleation on Si(111) surfaces at low deposition rate at the initial stages of wetting layer formation were investigated. Simulation of Ge epitaxial growth on atomically clean and flat Si(111) surface was carried out
Autor:
Konstantin Romanyuk, S.A. Teys, I.A. Reizvikh, N. L. Shwartz, Z. Sh. Yanovitskaya, Alexej V. Zverev, Igor G. Neizvestny
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
CIÊNCIAVITAE
CIÊNCIAVITAE
The initial stages of growth of Ge and Si layers on a singular Si (111) surface result in an unusual morphology of the growth surface if the layers are deposited at a low rate; i.e., triangular islands with a height of as much as three atomic layers
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1ab9a6d45fcb87174e08b3bf7cd98025
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-26844451795&partnerID=MN8TOARS
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-26844451795&partnerID=MN8TOARS
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.