Zobrazeno 1 - 10
of 58
pro vyhledávání: '"I.A. Khodasevich"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
S.M. Pershin, A.I. Vodchits, I.A. Khodasevich, V.A. Orlovich, A.D. Kudryavtseva, N.V. Tcherniega
Publikováno v:
Quantum Electronics. 52:283-288
We report, for the first time to our knowledge, suppression of backward stimulated Raman scattering (BSRS) of picosecond pulses (57 ps, 532 nm) due to the development of optical breakdown in the surface (0 – 3 mm) water layer with a shift of the be
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Nikita V. Golubev, G.E. Malashkevich, Valery M. Mashinsky, A.S. Grabtchikov, E. S. Ignat’eva, I.A. Khodasevich, E.O. Kozlova, Vladimir N. Sigaev
Publikováno v:
Optics Communications. 491:126955
Transparent germanosilicate glass-ceramics embedding γ -Ga2O3:Ni 2 + nanocrystals have been fabricated. Optical amplification in the glass-ceramics was observed at ∼ 1 . 32 μ m under 0 . 96 μ m diode laser pumping in the 3A 2g (3F) ↔ 3T 2g (3F
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Dan Cojoc, L.P. Germash, I.A. Khodasevich, Volodymyr O. Yukhymchuk, M. V. Chursanova, Volodymyr Dzhagan
Publikováno v:
Applied surface science 256 (2010): 3369–3373.
info:cnr-pdr/source/autori:Chursanova, M. V.; Germash, L. P.; Yukhymchuk, V. O.; Dzhagan, V. M.; Khodasevich, I. A.; Cojoc, D./titolo:Optimization of porous silicon preparation technology for SERS applications/doi:/rivista:Applied surface science/anno:2010/pagina_da:3369/pagina_a:3373/intervallo_pagine:3369–3373/volume:256
info:cnr-pdr/source/autori:Chursanova, M. V.; Germash, L. P.; Yukhymchuk, V. O.; Dzhagan, V. M.; Khodasevich, I. A.; Cojoc, D./titolo:Optimization of porous silicon preparation technology for SERS applications/doi:/rivista:Applied surface science/anno:2010/pagina_da:3369/pagina_a:3373/intervallo_pagine:3369–3373/volume:256
A series of porous silicon samples prepared at different etching parameters, namely etchant composition, etching time and current density, was investigated as substrates for surface-enhanced Raman scattering (SERS). Silver nanostructures were deposit
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.