Zobrazeno 1 - 10
of 135
pro vyhledávání: '"I. Umezu"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Physics: Conference Series. 59:392-395
We performed pulsed laser ablation (PLA) of a silicon target in liquid environment to prepare a silicon colloid solution. The nanoparticles were observed by SEM and TEM measurements. The result of Raman scattering indicates that this particle is main
Autor:
A. M. Ali, T. Inokuma, A. Al-Hajry, H. Kobayashi, I. Umezu, A. Morimoto, Ali Al-Hajry, Ahmad Umar, Hamoud Al-Harbi, Nadir Bouarissa, Hamid Berriche, Mohammed El-Ghazaly
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings.
金沢大学設計製造技術研究所 / 金沢大学理工研究域電子情報通信学系
Nanocrystalline silicon (ns-Si) thin films deposited through plasma-enhanced chemical vapor deposition technique were studied. These films were grown a
Nanocrystalline silicon (ns-Si) thin films deposited through plasma-enhanced chemical vapor deposition technique were studied. These films were grown a
Autor:
I. Umezu, A. Kohno, J. M. Warrender, Y. Takatori, Y. Hirao, S. Nakagawa, A. Sugimura, S. Charnvanichborikarn, J. S. Williams, M. J. Aziz, Jisoon Ihm, Hyeonsik Cheong
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings.
Single crystalline silicon supersaturated with sulfur was prepared by ion implantation followed by pulsed laser melting and rapid solidification. A strong and broad optical absorption band and free‐carrier absorption appeared for this sample around
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings.
Through the photoluminescence (PL) measurements, we have studied the temperature dependence of the linewidth of PL spectra for type‐II excitons in highly Si‐doped GaAs/AlAs short‐period‐superlattices (SPS’s). In low temperature regions, we
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings.
Through the time‐resolved photoluminescence measurements, we have studied the localization and transport of the type‐II excitons in spatially random potential for highly Si‐doped GaAs/AlAs short‐period‐superlattices (SPS’s). The exciton t
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.