Zobrazeno 1 - 10
of 27
pro vyhledávání: '"I. Satoru"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sofie Mertens, M. Niwa, S. Biesemans, Aude Rothschild, Jorge A. Kittl, Christoph Kerner, Hui Yu, T. Y. Hoffmann, Anabela Veloso, S.Z. Chang, G. Whittemore, R. Mitsuhashi, Philippe Absil, Wilfried Vandervorst, M. Ameen, I. Satoru, Christa Vrancken, Caroline Demeurisse, M. A. Pawlak, Marc Demand, Anne Lauwers
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 29:34-37
Low Vt Ni fully silicided (FUSI) devices are demonstrated making use of Al implantation for pMOS and Yb or Yb+P implantation for nMOS combined with Ni-silicide phase engineering. When Yb(+P) and Al implantation are followed by a high temperature anne
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M. Niwa, Hao Yu, Anne Lauwers, Howard L. Tigelaar, Axel Nackaerts, Serge Biesemans, T. Y. Hoffmann, Jorge A. Kittl, Thomas Kauerauf, A. Shickova, Thomas Chiarella, Aude Rothschild, R. Mitsuhashi, Maarten Rosmeulen, J. Ramos, Malgorzata Jurczak, Stephan Brus, Anabela Veloso, Philippe Absil, I. Satoru, Christa Vrancken, Benoit Froment, M.J.H. van Dal, Christoph Kerner
Publikováno v:
2006 International Electron Devices Meeting.
This work reports the first comprehensive evaluation of FUSI gates for manufacturability, covering the key aspects of integration, process control, reliability, matching, device design and circuit-level benefit. Thanks to a selective and controlled p
Autor:
M. Niwa, Jorge A. Kittl, Christoph Kerner, Howard L. Tigelaar, I. Satoru, T. Chiarella, Aude Rothschild, J. Ramos, Hao Yu, Christa Vrancken, Philippe Absil, T. Y. Hoffmann, Axel Nackaerts, S. Biesemans, M.J.H. van Dal, R. Mitsuhashi, Stephan Brus, Benoit Froment, Anne Lauwers, M. Jurczak, Anabela Veloso
Publikováno v:
2006 Symposium on VLSI Technology, 2006. Digest of Technical Papers..
We report record unloaded ring oscillator delay (17ps at VDD = 1.1V and 20pA/mum Ioff) using low power CMOS transistors with Ni-based fully silicided (FUSI) gates on HfSiON. This result comes from two key advancements over our previous report present
Publikováno v:
Conference Record of the 2001 IEEE Industry Applications Conference. 36th IAS Annual Meeting (Cat. No.01CH37248).
Existing power conversion methods for uninterruptible power supply systems (UPSs) can be divided into two categories, passive-standby and double-conversion methods. Generally, the passive-standby scheme has better efficiency while the double-conversi
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.