Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"I. Rofii"'
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 173:528-532
We describe an easy-to-use, computer-controlled optical method capable of determining the damage profiles in ion-implanted semiconductors. Using this method we measured the damage profiles in Si-implanted GaAs of various ion energies and ion doses. T
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::677083ae0f2f601b04403f7db08a00fa
https://doi.org/10.1016/s0168-583x(00)00407-9
https://doi.org/10.1016/s0168-583x(00)00407-9
Publikováno v:
2000 International Semiconducting and Insulating Materials Conference. SIMC-XI (Cat. No.00CH37046).
We describe an easy-to-use, computer controlled, optical method, based on differential reflectance, capable of determining the damage profiles in ion-implanted semiconductors. Using this method we measured the damage profiles in Si implanted GaAs. Th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b0d2f13f6f937976bb19766d27d63b93
https://doi.org/10.1109/sim.2000.939216
https://doi.org/10.1109/sim.2000.939216
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.