Zobrazeno 1 - 10
of 13
pro vyhledávání: '"I. Pawel"'
Autor:
R. Siemieniec, I. Pawel
Publikováno v:
Innovations and Advanced Techniques in Systems, Computing Sciences and Software Engineering ISBN: 9781402087349
Experiments revealed a dependence of sustained avalanche current on epitaxial layer structure, ambient temperature and chip size. With higher on-resistance, the avalanche current normally increases as well. A new mixed-mode simulation model proposed
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::011f218cf3d8299d0f597b5aec679255
https://doi.org/10.1007/978-1-4020-8735-6_3
https://doi.org/10.1007/978-1-4020-8735-6_3
Publikováno v:
2008 26th International Conference on Microelectronics.
In this paper, we describe the crucial dependence of avalanche behavior on epitaxial layer thickness and gate resistance during undamped inductive switching (TJIS) especially for high currents for power MOSFET devices employing field-plate compensati
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::26d21a1280af7ce2d06dc4713fd99131
https://doi.org/10.1109/icmel.2008.4559248
https://doi.org/10.1109/icmel.2008.4559248
Publikováno v:
9th International Seminar on Power Semiconductors (ISPS 2008).
The idealised on-state resistance vs. breakdown voltage behaviour for field-plate compensated devices is analysed for different impact ionisation models. For small device dimensions, we found a significant deviation from common values of maximum dopi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9ce37cb5b9b8062f84ca8ed365016026
https://doi.org/10.1049/ic:20080183
https://doi.org/10.1049/ic:20080183
Autor:
R. Siemieniec, Ludwig Josef Balk, Christian Geissler, Maximilian Rösch, Franz Hirler, A. Pugatschow, I. Pawel
Publikováno v:
2007 European Conference on Power Electronics and Applications.
The avalanche behavior of new 150 V trench power MOSFETs was designed with the help of two- dimensional device simulation techniques. The devices employ the compensation principle for low on-state losses. A new edge-termination structure ensures that
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a7316b3154d0a173c81736265a16d85f
https://doi.org/10.1109/epe.2007.4417220
https://doi.org/10.1109/epe.2007.4417220
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.