Zobrazeno 1 - 10
of 355
pro vyhledávání: '"I. Omura"'
Publikováno v:
Power Electronic Devices and Components, Vol 7, Iss , Pp 100053- (2024)
This study proposes a practical output current measurement system in a three-phase inverter with a single printed circuit board (PCB) Rogowski coil sensor inserted in the bus between the DC-link capacitor and the power semiconductor module. This syst
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2f06e6e64d174fbbaec9f14b22fb676c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1c9a83f91b9b40dabb0b8e7fc7a2ba58
https://doi.org/10.7567/ssdm.2019.ps-4-03
https://doi.org/10.7567/ssdm.2019.ps-4-03
Autor:
M. Fukui, T. Saraya, K. Itou, T. Takakura, S. Suzuki, K. Takeuchi, K. Kakushima, T. Hoshii, K. Tsutsui, H. Iwai, S. Nishizawa, I. Omura, T. Hiramoto
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::06d5c22705d63ae508043c93988260bc
https://doi.org/10.7567/ssdm.2019.ps-4-01
https://doi.org/10.7567/ssdm.2019.ps-4-01
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Forward bias degradation caused by basal plane dislocations (BPDs) in the substrate is the critical issue in the Sic bipolar devices operated under high current density conditions. In this work, we proposed the calculation model of the current densit
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::11bac834f7053d9dad77c27c2a14c2b7
https://doi.org/10.7567/ssdm.2019.ps-4-05
https://doi.org/10.7567/ssdm.2019.ps-4-05
Autor:
T. Saraya, K. Ito, T. Takakura, M. Fukui, S. Suzuki, K. Takeuchi, K. Kakushima, T. Hoshii, K. Tsutsui, H. Iwai, S. Nishizawa, I. Omura, T. Hiramoto
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f0c2e7c946f959e269037e542fe19758
https://doi.org/10.7567/ssdm.2019.k-3-02
https://doi.org/10.7567/ssdm.2019.k-3-02
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.