Zobrazeno 1 - 10
of 14
pro vyhledávání: '"I. Nakhutsrishvili"'
Publikováno v:
Georgian Medical News; 2021, Vol. 313 Issue 4, p41-44, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials Science Forum. :165-170
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::48aa107cf86e1841321e1f7b2a4c7c46
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.185-188.165
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.185-188.165
Autor:
R. Janelidze, D. Jishiashvili, Z. Shiolashvili, I. Nakhutsrishvili, E. Kutelia, V. Gobronidze, L. Mosidze, M. Katsiashvili
Publikováno v:
1996 International Semiconductor Conference. 19th Edition. CAS'96 Proceedings.
Application of amorphous, high resistivity O- and N-doped Ge films is proposed to solve some radiation hardness problems. The new type of insulating a-Ge:(O,N) films makes it possible to increase the radiation hardness of metal-insulator-semiconducto
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b94d3f0a63c1ff9f07dbc87e87cdfe62
https://doi.org/10.1109/smicnd.1996.557417
https://doi.org/10.1109/smicnd.1996.557417
Publikováno v:
2001 International Semiconductor Conference. CAS 2001 Proceedings (Cat. No.01TH8547).
Auger electron spectroscopy (AES) was used to study the solid phase surface reactions and Ge diffusion process during the thermal treatment (500-750/spl deg/C) of GeO/sub 2//(111)GaAs structures. Different results were obtained for the A and B surfac
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4ce2df3793ff61a0566d03bcbb8c6630
https://doi.org/10.1109/smicnd.2001.967476
https://doi.org/10.1109/smicnd.2001.967476
Publikováno v:
2002 Proceedings. 8th International Advanced Packaging Materials Symposium (Cat. No.02TH8617).
The sublimation of GeO molecules formed by the solid phase reaction between a-Ge and a-GeO/sub 2/ films (Ge+GeO/sub 2/=2GeO?) was studied using vacuum microbalance. The c-Si/Ge/GeO/sub 2/, c-Si/GeO/sub 2/ /Ge, c-Ge/GeO/sub 2/ and c-Si/GeO/GeO/sub 2/
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b8fa852d7424ab6ef490c450d873afc3
https://doi.org/10.1109/isapm.2002.990372
https://doi.org/10.1109/isapm.2002.990372
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.