Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"I. Maidanchuk"'
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 91:133109
The kinetics of phase separation and growth of Si precipitates during high-temperature annealing of nonstoichiometric SiOx films is theoretically studied. The mechanisms of silicon diffusion and capture by Si precipitates as well as oxygen emission a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::86c9fe3ac7913303df5b6a305a22e009
https://doi.org/10.1063/1.2790814
https://doi.org/10.1063/1.2790814
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.