Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"I. H. Heo"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M. Yang, H. Ha, S. W. Kim, H. S. Ahn, J. H. Lee, E. J. Kim, C. H. Lee, H. S. Jeon, S. H. Hong, Y. H. Han, K. H. Kim, S. K. Shee, I. H. Heo, S. L. Hwang
Publikováno v:
Journal of the Korean Physical Society. 54:1262-1266
The growth of an AlGaN-based non-phosphor white light emitting diode (LED) on a templated n-GaN (0001) sapphire substrate is performed by using mixed-source hydride vapor phase epitaxy (HVPE) with a multi-sliding boat. The DH (doublehetero) structure
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::66d4ecef3e65ccda2db5fa3c249b85b4
https://doi.org/10.3938/jkps.54.1262
https://doi.org/10.3938/jkps.54.1262
Autor:
Eunji Kim, Kyu-Jin Kim, Min Yang, I. H. Heo, Hunsoo Jeon, Chae-Ryong Cho, H. Ha, Suck-Whan Kim, S. L. Hwang, Hyung-Soo Ahn, S. H. Hong, Young Hun Han, Chanmi Lee
Publikováno v:
Journal of the Korean Physical Society. 54:1257-1261
In this paper, we report structural changes in InGaN micro-structures grown by using mixed-source hydride vapor phase epitaxy (HVPE). Hexagonal nanorods, bunched with many submicron-sized legs and tetrapod-shaped InGaN micro-structures, are grown on
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::48cfb227b342afccc28200d557639740
https://doi.org/10.3938/jkps.54.1257
https://doi.org/10.3938/jkps.54.1257
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
I. S. Cho, H. S. Ahn, C. H. Lee, K. H. Kim, H. S. Jeon, J. H. Lee, S. C. Lee, I. H. Heo, W. T. Lim, S. W. Kim, M. Yang, S. H. Hong, S. K. Shee, S. L. Hwang
Publikováno v:
Journal of the Society for Information Display. 16:541
— The selective area growth (SAG) of a InGaN/AlGaN light-emitting diode (LED) is performed by using mixed-source hydride vapor-phase epitaxy (HVPE) with a multi-sliding boat system. The SAG-InGaN/AlGaN LED consists of a Si-doped AlGaN cladding laye
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::53c8fc228b75bb3014173c013b126554
https://doi.org/10.1889/1.2905040
https://doi.org/10.1889/1.2905040