Výsledky vyhledávání

The Use of Tetraethyltin as an N Type Dopant Source in GAAs, ALGAAs, and ALAS for Lasers and Bragg Reflectors Grown by MOCVD

Autor: R.V. Chelakara, Russell D. Dupuis, I. G. Neff, K. G. Fertitta, C. J. Pinzone

Publikováno v: MRS Proceedings. 340

The use of Tetraethyltin (TESn) as a source of donors in GaAs and its A1xGal-xAs alloys with x varied from 0 to 1 has been investigated for the growth of heterostructures by low pressure metalorganic chemical vapor deposition. (LP-MOCVD). The donor a

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d28edf34e0a942b3efd2153e2340a7ac
https://doi.org/10.1557/proc-340-283

Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání