Zobrazeno 1 - 10
of 31
pro vyhledávání: '"I. Dascalescu"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sorina Iftimie, H. Stroescu, Toma Stoica, Magdalena Lidia Ciurea, Mariuca Gartner, C. Palade, A. Slav, Mariana Braic, Valentin S. Teodorescu, Nicolae Catalin Zoita, Dan Buca, I. Dascalescu, Sorina Lazanu, Ana-Maria Lepadatu
Publikováno v:
ACS Applied Materials & Interfaces. 12:56161-56171
The development of short-wave infrared (SWIR) photonics based on GeSn alloys is of high technological interest for many application fields, such as the Internet of things or pollution monitoring. The manufacture of crystalline GeSn is a major challen
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7570e55d6a45c04eb80d7ddd667a9f08
https://doi.org/10.1021/acsami.0c15887
https://doi.org/10.1021/acsami.0c15887
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Stefan Antohe, Magdalena Lidia Ciurea, Valentin S. Teodorescu, Mariana Braic, Sorina Iftimie, Ionel Stavarache, Sorina Lazanu, C. Palade, Constantin Logofatu, A. Slav, I. Dascalescu, Toma Stoica, Ana M. Lepadatu, Dan Buca, Florin Comanescu
Publikováno v:
ACS Applied Nano Materials. 2:3626-3635
Detection in short-wave infrared (SWIR) has become a very stringent technology requirement for developing fields like hyperspectral imaging or climate changes. In a market dominated by III–V materi...
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b15c7bed9ae372646e5dcc78a2530ae9
https://doi.org/10.1021/acsanm.9b00571
https://doi.org/10.1021/acsanm.9b00571
Autor:
V. S. Teodorescu, I. Dascalescu, T. Stoica, A. Slav, O. Cojocaru, Sorina Iftimie, Ana-Maria Lepadatu, Magdalena Lidia Ciurea, C. Palade
Publikováno v:
2020 International Semiconductor Conference (CAS).
The 1600 nm-extended SWIR photoresponse of SiGe/TiO 2 multilayers with Ge-rich SiGe nanocrystals (NCs) is demonstrated. The SiGe NCs based multilayers are obtained by magnetron sputtering deposition of TiO 2 / 6x(Ge/SiGe/Ge/TiO 2 ) layers on heated p
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3dc7c9f59635399b629d06bb868a58ee
https://doi.org/10.1109/cas50358.2020.9268020
https://doi.org/10.1109/cas50358.2020.9268020
Autor:
I. Lalau, A. Slav, Sorina Lazanu, O. Cojocaru, T. Stoica, C. Palade, I. Dascalescu, Ana-Maria Lepadatu, Magdalena Lidia Ciurea
Publikováno v:
2019 International Semiconductor Conference (CAS).
The VIS-SWIR photosensing properties of Ge and GeSi NCs embedded in TiO2 films are investigated. For this, we deposit GeTiO2 and GeSiTiO2 films, respectively by magnetron sputtering and then we perform rapid thermal annealing (RTA) for Ge NCs and GeS
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::79777e012b1ae32fe61b6622dbff0209
https://doi.org/10.1109/smicnd.2019.8924034
https://doi.org/10.1109/smicnd.2019.8924034
Autor:
C, Palade, A, Slav, A M, Lepadatu, I, Stavarache, I, Dascalescu, A V, Maraloiu, C, Negrila, C, Logofatu, T, Stoica, V S, Teodorescu, M L, Ciurea, S, Lazanu
Publikováno v:
Nanotechnology. 30(44)
Trilayer memory capacitors of control HfO
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid________::cd3c16345c7e287fce80558b9af0ace1
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/31342930
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/31342930
Autor:
V. S. Teodorescu, Ionel Stavarache, I. Dascalescu, Valentin Adrian Maraloiu, L. Nedelcu, Magdalena Lidia Ciurea
Publikováno v:
2018 International Semiconductor Conference (CAS).
The films of SiGe nanocrystals in SiO 2 on Si substrate were obtained by co-sputtering Si, Ge, and SiO 2 followed by rapid thermal annealing. The films structure and morphology together with electrical and photoelectrical properties were studied by x
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6205dfef3e79f64bfb6160daa27de75a
https://doi.org/10.1109/smicnd.2018.8539745
https://doi.org/10.1109/smicnd.2018.8539745
Autor:
Magdalena Lidia Ciurea, T. Stoica, Ana-Maria Lepadatu, C. Palade, Ionel Stavarache, I. Dascalescu, Sorina Lazanu, A. Slav, O. Cojocaru
Publikováno v:
2018 International Semiconductor Conference (CAS).
Trilayer MOS capacitors gate HfO 2 / floating gate of Ge nanocrystals in HfO 2 / tunnel HfO 2 / Si substrate were prepared in the aim to be used for the detection of ionizing radiation. Magnetron sputtering and rapid thermal annealing were used for t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::03ba8fc7b9351823549c584fe84de487
https://doi.org/10.1109/smicnd.2018.8539769
https://doi.org/10.1109/smicnd.2018.8539769