Zobrazeno 1 - 10
of 45
pro vyhledávání: '"I. Bormann"'
Autor:
J. Weber, D. Kehrer, B. Kho, Wolfgang Spirkl, Manfred Plan, H. Hoenigschmid, D. Boursin, Peter Gregorius, Michael Richter, H. Steffens, I. Russell, M. Gjukic, Fabien Funfrock, K. Swaminathan, Jorg Weller, P.V. Petkov, Ronny Schneider, Martin Brox, S. Kieser, B. Weber, Maksim Kuzmenka, Thomas Hein, U. Moeller, I. Bormann, Rex Kho, K. Schiller
Publikováno v:
ISSCC
Modern graphics subsystems (gaming PCs, midhigh end graphics cards, game consoles) have reached the 2.6-2.8 Gb/s/pin regime with GDDR3/GDDR4, and experimental work has shown per pin rates up to 6 Gb/s/pin on individual test setups. In order to satisf
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::37ff74ea6989947bcea1533be10fb6f7
https://doi.org/10.1109/jssc.2009.2034417
https://doi.org/10.1109/jssc.2009.2034417
Autor:
Werner Wegscheider, Gerhard Abstreiter, S. Hackenbuchner, Karl Brunner, I. Bormann, H. Riedl, Stefan Schmult
Publikováno v:
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 21:779-782
In this work we investigate experimentally and theoretically the feasibility to enhance the nonradiative lifetime of the upper heavy hole state in Si/SiGe quantum cascade (QC) structures within a diagonal transition design. The problem of fast nonrad
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::afe610782fad4348aee4b7cc4e4042a2
https://doi.org/10.1016/j.physe.2003.11.123
https://doi.org/10.1016/j.physe.2003.11.123
Autor:
K. Brunner, Gerhard Abstreiter, Werner Wegscheider, S. Hackenbuchner, Stefan Schmult, I. Bormann
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 83:5371-5373
Here, we explore experimentally and theoretically the possibility to prolong the upper hole state nonradiative lifetime of Si/SiGe quantum cascade (QC) structures by using a spatially indirect diagonal transition between two SiGe quantum well ground
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6e2efdcb93d4f46e10c1201f8dd90186
https://doi.org/10.1063/1.1631381
https://doi.org/10.1063/1.1631381
Autor:
I. Bormann, Werner Wegscheider, Gerhard Abstreiter, G. Zandler, Stefan Schmult, S. Hackenbuchner, Karl Brunner
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 80:2260-2262
Unipolar intersubband lasers like quantum cascade laser structures might be realized not only in III–V semiconductors but also in Si/SiGe multiple layer structures since no optical transitions across the indirect band gap are involved. We report on
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::eeb77bd1737770c27c47c340746bf02c
https://doi.org/10.1063/1.1465131
https://doi.org/10.1063/1.1465131
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
R. Kho, D. Boursin, M. Brox, P. Gregorius, H. Hoenigschmid, B. Kho, S. Kieser, D. Kehrer, M. Kuzmenka, U. Moeller, P. Petkov, M. Plan, M. Richter, I. Russell, K. Schiller, R. Schneider, K. Swaminathan, B. Weber, J. Weber, I. Bormann, F. Funfrock, M. Gjukic, W. Spirkl, H. Steffens, J. Weller, T. Hein
Publikováno v:
2009 IEEE International Solid-State Circuits Conference - Digest of Technical Papers.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::76d92fa074e617000808f2ee3a3d9f5b
https://doi.org/10.1109/isscc.2009.4977344
https://doi.org/10.1109/isscc.2009.4977344
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.