Zobrazeno 1 - 10
of 13
pro vyhledávání: '"I. Bencuya"'
Autor:
I. Bencuya
Publikováno v:
Twentieth Annual IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition, 2005. APEC 2005..
Power semiconductors are taking major change in direction and moving towards distinct bifurcated approaches. The first approach is towards innovations that improve the silicon and process technologies to overcome the limitations of the current techno
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::59faadd8d5e88bef771da41e3cc54c21
https://doi.org/10.1109/apec.2005.1452878
https://doi.org/10.1109/apec.2005.1452878
Publikováno v:
20th Annual IEEE Power Electronics Specialists Conference.
The physical origin of the safe-operating-area (SOA) limitation in power DMOSFETs lies in the parasitic bipolar junction transistor (BJT) which is inherent to these devices. Direct-current SOA depends on transconductance and thermal variations of the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f70535a2e522a47132293cb4ec85eafe
https://doi.org/10.1109/pesc.1989.48487
https://doi.org/10.1109/pesc.1989.48487
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 32:1321-1327
An optimized static induction transistor (SIT) design utilizing local oxidation in a self-aligned geometry is described. Devices with 10.5- and 7-µm pitch (gate-to-gate spacing), which have been optimized with respect to epitaxial layer thickness an
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::153a736f96433107d26364f611ec9475
https://doi.org/10.1109/t-ed.1985.22118
https://doi.org/10.1109/t-ed.1985.22118
Publikováno v:
1983 International Electron Devices Meeting.
This paper describes recent developments in silicon high-voltage, high-power microwave static induction transistor (SIT) technology. We have developed SITs which are capable of cw output power levels greater than 100W in the 200 MHz to 400 MHz freque
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d05710ece5590701821e39e71266cf02
https://doi.org/10.1109/iedm.1983.190481
https://doi.org/10.1109/iedm.1983.190481
Publikováno v:
1984 14th European Microwave Conference.
The performance of static induction transistors (SITs), fabricated with 10.5-?m pitch (gate-to-gate spacing) has been reported previously.[1] This presentation will discuss the improvements in performance that are achieved when the pitch is further r
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2ad830205bfbe00d8da727ff2a9427fd
https://doi.org/10.1109/euma.1984.333452
https://doi.org/10.1109/euma.1984.333452
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.