Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"I-V karakteristiği"'
Autor:
SÖNMEZOĞLU, Savaş, AKIN, Seçkin
Publikováno v:
Volume: 11, Issue: 1 1-8
Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen Ve Mühendislik Bilimleri Dergisi
Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen Ve Mühendislik Bilimleri Dergisi
Bu çalışmada, Sb katkılı TiO2/n‐Si MIS diyotun seri direnç ve engel yüksekliği gibi temel elektriksel parametreleri I‐V ve C‐V karakteristikleri yardımıyla hesaplanmış ve analiz edilmiştir. I‐V karakteristiklerinden elde edilen i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=tubitakulakb::2005f59db3ee6fb4f2a42aa8ae51372b
https://dergipark.org.tr/tr/pub/akufemubid/issue/1589/19739
https://dergipark.org.tr/tr/pub/akufemubid/issue/1589/19739
Autor:
SÖNMEZOĞLU, Savaş, AKIN, Seçkin
Publikováno v:
Issue: 026 25-38
Journal of Science and Technology of Dumlupınar University
Journal of Science and Technology of Dumlupınar University
Metal-yalıtkan-yarıiletken (MIS) diyotların, I-V karakteristikleri yardımıyla eldeedilen parametreleri elektronik tasarımlarda önemli yer tutmaktadır. Çığ gibibüyüyen elektronik sanayisinde, değişik yöntemlerle malzeme parametrelerini
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=tubitakulakb::69f6f15434992ceb5c9c96acf738c9b8
https://dergipark.org.tr/tr/pub/dpufbed/issue/35931/403188
https://dergipark.org.tr/tr/pub/dpufbed/issue/35931/403188
Autor:
Sönmezoğlu, Savaş, Akın, Seçkin
Bu çalışmada, Sb katkılı TiO2/n-Si MIS diyotun seri direnç ve engel yüksekliği gibi temel elektriksel parametreleri I-V ve C-V karakteristikleri yardımıyla hesaplanmış ve analiz edilmiştir. I-V karakteristiklerinden elde edilen idealite
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3192::07b56eef05a22d76d0ef23c54b3ba897
http://hdl.handle.net/11630/828
http://hdl.handle.net/11630/828
Autor:
Mutlu, Tuğçe
Balıkesir Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Ana Bilim Dalı
Bu çalışmada p-GaAs1-xPx/n-GaAs yapısı, Moleküler Demet Epitaksi (MBE) sisteminde büyütüldü. Bu yapının üzerine omik altın (Au) kontaklar yüksek vakum term
Bu çalışmada p-GaAs1-xPx/n-GaAs yapısı, Moleküler Demet Epitaksi (MBE) sisteminde büyütüldü. Bu yapının üzerine omik altın (Au) kontaklar yüksek vakum term
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4609::1d4a33ab42ffbaa4ff7c4bbf6fb7bbf0
https://hdl.handle.net/20.500.12462/1737
https://hdl.handle.net/20.500.12462/1737
Publikováno v:
Volume: 4, Issue: 1 55-58
Dicle Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi
Dicle Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi
Microelectronics properties of Al/ZnO/p-Si/Al Schottky diode have been investigated. ZnO films have grown onto p type silicon substrate by ultrasonic spray pyrolysis @ 350°C. Al front contacts have been deposited by thermal evaporation process in va
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=tubitakulakb::f714883da781f19ff21140c176d36b43
https://dergipark.org.tr/tr/pub/dufed/issue/52857/698247
https://dergipark.org.tr/tr/pub/dufed/issue/52857/698247