Zobrazeno 1 - 10
of 162
pro vyhledávání: '"I Khalakhan"'
Autor:
J Růžička, O Caha, V Holý, H Steiner, V Volobuiev, A Ney, G Bauer, T Duchoň, K Veltruská, I Khalakhan, V Matolín, E F Schwier, H Iwasawa, K Shimada, G Springholz
Publikováno v:
New Journal of Physics, Vol 17, Iss 1, p 013028 (2015)
We show that in manganese-doped topological insulator bismuth telluride layers, Mn atoms are incorporated predominantly as interstitials in the van der Waals gaps between the quintuple layers and not substitutionally on Bi sites within the quintuple
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/919ec26463e04d829dd39fe89eb9d985
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Acta Crystallographica Section A Foundations and Advances. 78:e508-e508
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::10c0db20f16b9bd8dedceb1a3c27c1e5
https://doi.org/10.1107/s2053273322092403
https://doi.org/10.1107/s2053273322092403
Autor:
M. Vorokhta, I. Khalakhan, M. Vondráček, D. Tomeček, E. Marešová, J. Nováková, J. Vlček, P. Fitl, M. Novotný, P. Hozák, J. Lančok, M. Vrňata, I. Matolínová, V. Matolín
Publikováno v:
Surface Science. 677:284-290
In this article, we present the results of an investigation into chemical processes which take place at the surface of SnO2-based chemiresistor in various atmospheres (1 mbar of argon, 1 mbar of oxygen, 0.1 mbar of ethanol, 1 mbar of oxygen + 0.1 mba
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f667fdd9635ee53165bde3ffe7d498d5
https://doi.org/10.1016/j.susc.2018.08.003
https://doi.org/10.1016/j.susc.2018.08.003
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.