Zobrazeno 1 - 10
of 105
pro vyhledávání: '"I, Stavarache"'
Publikováno v:
2022 International Semiconductor Conference (CAS).
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 32:12308-12317
In this work, amorphous tin oxide thin films were deposited by non-reactive radio frequency magnetron sputtering. A ceramic $${\text{SnO}}_2$$ target was used, while different working pressures were employed. The target to substrate distance was fixe
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Non-Crystalline Solids. 559:120663
Amorphous metal chalcogenides have good switching properties for resistive memories, but have low thermal stability. In this work, the response to rapid thermal stress, as high as 550 °C, of amorphous Cu-GeSe, Ag-GeSe, Cu-GeTe, Ag-GeTe thin films, i
Autor:
C, Palade, A, Slav, A M, Lepadatu, I, Stavarache, I, Dascalescu, A V, Maraloiu, C, Negrila, C, Logofatu, T, Stoica, V S, Teodorescu, M L, Ciurea, S, Lazanu
Publikováno v:
Nanotechnology. 30(44)
Trilayer memory capacitors of control HfO