Zobrazeno 1 - 10
of 247
pro vyhledávání: '"I, Pintér"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
International Journal of Horticultural Science, Vol 14, Iss 4 (2008)
Taxonomical evaluation of six taxa of the Achillea aggregate was carried out to determine their potential for breeding and cultivation. We used complex morphological, cytological and chemical aspects of characterisation. Three taxa of tetraploid geno
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/cd4cdf6e2a78404eab725cd27587da96
Publikováno v:
Botanikai Közlemények. 102:27-38
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::df62761d3c74253a8377118d1efda59e
https://doi.org/10.17716/botkozlem.2015.102.1-2.27
https://doi.org/10.17716/botkozlem.2015.102.1-2.27
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sivanarayanamoorthy Sivoththaman, G.J. Adriaenssens, M. Ádám, Nguyen Quoc Khánh, I Pintér, Jef Poortmans, István Bársony, A. H. Abdulhadi, Zs Makaró, Hai Zhi Song
Publikováno v:
Applied Surface Science. :224-227
Low cost and low voltage (< 1 keV) Plasma Immersion Ion Implantation (PIII) for acceptor and donor doping was studied from RF plasmas of 1% PH 3 -H 2 and 1% B 2 H 6 -H 2 and gas mixtures, respectively. Conventional annealing and Rapid Thermal Process
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a9b266ca7f60a0876abb6b9ec2a141ff
https://doi.org/10.1016/s0169-4332(98)00424-3
https://doi.org/10.1016/s0169-4332(98)00424-3
Autor:
Cs. Ducso, Roberto Mosca, István Bársony, I. Pintér, Z. S. Makaró, E. Gombia, Vo Van Tuyen, Zs. J. Horváth, M. Ádám
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 42:221-228
Current–voltage and capacitance–voltage measurements on Al/n–Si/p–Si Schottky junctions prepared by plasma immersion implantation of H + and P + ions have been performed in the temperature range of 80–360 K. Schottky barrier heights up to 0
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b4c2fd736359da5b074128d5121252d4
https://doi.org/10.1016/s0038-1101(97)00235-9
https://doi.org/10.1016/s0038-1101(97)00235-9
Publikováno v:
Diamond and Related Materials. 6:1633-1637
The time evolution of diamond film nucleation and growth have been investigated by spectroscopic ellipsometry (SE). Rutherford backscattering spectrometry (RBS) combined with elastic recoil detection (ERD) techniques. Diamond films were prepared usin
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::aac6b7c80b7069f74182a3e1bd8057cb
https://doi.org/10.1016/s0925-9635(97)00029-0
https://doi.org/10.1016/s0925-9635(97)00029-0
Publikováno v:
Materials Science Forum. :233-236
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e7c93cebb1c494034bb791acaae34952
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.248-249.233
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.248-249.233
Autor:
M.A. El-Sherbiny, József Gyulai, M. Ádám, I. Pintér, Edit Szilágyi, István Bársony, Nguyen Quoc Khánh, Cs. Dücső
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
Phosphorus ions were implanted using plasma immersion ion implantation (PII) to create shallow pn junctions in solar cells. Depths of PII phosphorous were shallow enough to be analyzed by Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS) combined with the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::7735581f2c1903fe5767215f17484ff4
https://doi.org/10.1016/0168-583x(96)80062-0
https://doi.org/10.1016/0168-583x(96)80062-0