Zobrazeno 1 - 10
of 736
pro vyhledávání: '"I, Pintér"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
International Journal of Horticultural Science, Vol 14, Iss 4 (2008)
Taxonomical evaluation of six taxa of the Achillea aggregate was carried out to determine their potential for breeding and cultivation. We used complex morphological, cytological and chemical aspects of characterisation. Three taxa of tetraploid geno
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/cd4cdf6e2a78404eab725cd27587da96
Publikováno v:
Botanikai Közlemények. 102:27-38
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Pintér, János D.1 (AUTHOR) jpinter@business.rutgers.edu, Castillo, Ignacio2 (AUTHOR) icastillo@wlu.ca, Kampas, Frank J.3 (AUTHOR) frank@physicistatlarge.com
Publikováno v:
Algorithms. Nov2024, Vol. 17 Issue 11, p480. 19p.
Autor:
Lőrinczy, Dénes1 (AUTHOR) denes.lorinczy@aok.pte.hu, Bata, András2 (AUTHOR), Lábas, Zoltán2 (AUTHOR), Shafiei, Farid2 (AUTHOR), Szabó, Hajnalka3 (AUTHOR), Cifra, János4 (AUTHOR), Nöt, Laszlo G.2,5 (AUTHOR) laszlogn@icloud.com
Publikováno v:
Journal of Thermal Analysis & Calorimetry. Oct2024, Vol. 149 Issue 20, p11471-11483. 13p.
Autor:
Sivanarayanamoorthy Sivoththaman, G.J. Adriaenssens, M. Ádám, Nguyen Quoc Khánh, I Pintér, Jef Poortmans, István Bársony, A. H. Abdulhadi, Zs Makaró, Hai Zhi Song
Publikováno v:
Applied Surface Science. :224-227
Low cost and low voltage (< 1 keV) Plasma Immersion Ion Implantation (PIII) for acceptor and donor doping was studied from RF plasmas of 1% PH 3 -H 2 and 1% B 2 H 6 -H 2 and gas mixtures, respectively. Conventional annealing and Rapid Thermal Process
Autor:
Cs. Ducso, Roberto Mosca, István Bársony, I. Pintér, Z. S. Makaró, E. Gombia, Vo Van Tuyen, Zs. J. Horváth, M. Ádám
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 42:221-228
Current–voltage and capacitance–voltage measurements on Al/n–Si/p–Si Schottky junctions prepared by plasma immersion implantation of H + and P + ions have been performed in the temperature range of 80–360 K. Schottky barrier heights up to 0
Publikováno v:
Diamond and Related Materials. 6:1633-1637
The time evolution of diamond film nucleation and growth have been investigated by spectroscopic ellipsometry (SE). Rutherford backscattering spectrometry (RBS) combined with elastic recoil detection (ERD) techniques. Diamond films were prepared usin