Zobrazeno 1 - 10
of 373
pro vyhledávání: '"I, Nissim"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yves I. Nissim, Abdeljalil Sayah
Publikováno v:
Journal of Non-Crystalline Solids. 187:473-476
The structural quality of rapid thermal chemical vapour deposited dielectric films have been utilized to fabricate optical waveguides at 1.5 μm. The guides composed of SiO x N y guiding layer sandwiched between two SiO 2 layers. A precise model has
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1c06d081f99134e40e33f196ebb87d16
https://doi.org/10.1016/0022-3093(95)00214-6
https://doi.org/10.1016/0022-3093(95)00214-6
Publikováno v:
Applied Surface Science. 86:286-293
A low pressure VUV flashlamp at 100 Torr has been developed as a tool for ‘cold’ UV CVD and processing. The current density is related in a tunable fashion to the VUV spectral distribution (160–260 nm) up to 20 Hz. A high brightness (3400 W/Hz
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9337cc625b758e337c1d12ab17e09bac
https://doi.org/10.1016/0169-4332(94)00458-7
https://doi.org/10.1016/0169-4332(94)00458-7
Publikováno v:
Annales de Physique. 19:C1-229
Les techniques de depot de couches minces assistees par rayonnement UV et VUV ont ete etudiees afin de developper une technologie a faible budget thermique pour l'optoelectronique. Une lampe Kr a eclairs de forte puissance emettant dans 1' VUV-UV-VIS
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d7b84111b75e21c7d581c08eb8b992ad
https://doi.org/10.1051/anphys/1994054
https://doi.org/10.1051/anphys/1994054
Autor:
Olivier Dulac, Yves I. Nissim
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 25:265-275
Passivation of III-V semiconductor surfaces and especially the GaAs surface has been studied for over two decades without significant breakthrought. However III-V device performances are still often limited by surface properties. In particular field
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::93db1060feda4cc36e399d092c12205e
https://doi.org/10.1016/0167-9317(94)90025-6
https://doi.org/10.1016/0167-9317(94)90025-6
Publikováno v:
Applied Surface Science. 69:198-203
Rapid thermal chemical vapour deposition is proposed to obtain optical-quality silicon nitride films on III–V semiconductors. The films have been obtained on InP at high temperature with a very high growth rate. Structural and morphological propert
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::de609cc28dc4634af5caed265124f83d
https://doi.org/10.1016/0169-4332(93)90504-5
https://doi.org/10.1016/0169-4332(93)90504-5
Publikováno v:
Journal of the American Society of Nephrology. 3:1416-1427
The metabolism of (5-15N)glutamine and (2-15N) glutamine has been studied by isolated hepatocytes obtained from either control, chronically acidotic, or alkalotic rats. The main goal was to elucidate the mechanism(s) by which altered acid-base state
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::175a9e3256f02ce9d3b7214eb1a75af6
https://doi.org/10.1681/asn.v371416
https://doi.org/10.1681/asn.v371416
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.