Zobrazeno 1 - 10
of 500
pro vyhledávání: '"Hydrogen-terminated silicon"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Beilstein Journal of Nanotechnology, Vol 11, Iss 1, Pp 1346-1360 (2020)
The combination of scanning tunnelling microscopy (STM) and non-contact atomic force microscopy (nc-AFM) allows enhanced extraction and correlation of properties not readily available via a single imaging mode. We demonstrate this through the charact
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2ed91688eea14765be2877a2b2ec89e5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jeremiah Croshaw, Taleana Huff, Thomas Dienel, Lucian Livadaru, Robert A. Wolkow, Roshan Achal, Mohammad Rashidi
With nanoelectronics reaching the limit of atom-sized devices, it has become critical to examine how irregularities in the local environment can affect device functionality. Here, we characterize the influence of charged atomic species on the electro
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::72767fd94b8b552f2dabf4e620629907
https://doi.org/10.1021/acsnano.9b04653
https://doi.org/10.1021/acsnano.9b04653
Autor:
Robertson, Luke Daniel
We have demonstrated a new and effective method for the non-invasive electrostatic gating of pristine, chemically-terminated, intrinsic Si surfaces. This was achieved using a silicon-on-insulator (SOI) device design in which two chips, an SOI gate ch
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::79cfb234c8c5a546cf25b2cfe6eb0681
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials science in semiconductor processing. 62:128-134
The continuous miniaturization in the semiconductor industry brings electronic devices with higher performance at lower cost. The doping of semiconductor materials plays a crucial role in tuning the electrical properties of the materials. Ion implant
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::24962b0487f49a144ef4fed7f6a2206f
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2016.12.018
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2016.12.018
Many diverse material systems are being explored to enable smaller, more capable and energy efficient devices. These bottom up approaches for atomic and molecular electronics, quantum computation, and data storage all rely on a well-developed underst
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6407c4b33b77e7c4c124db9a1108e856
https://doi.org/10.1021/acsnano.9b07637
https://doi.org/10.1021/acsnano.9b07637
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.