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Abschlussbericht zu FuE-Vorhaben 'Bewertung freistehender GaN-Substrate mittels Epitaxie und Bauelementestrukturen für die Kommunikationstechnik' : Teilförderschwerpunkt: CrysGaN: HVPE-GaN-Substrate für die Kommunikationstechnik und Quasisubstrate mit dünnen GaN-Nutzschichten, Förderschwerpunkt: GaN-Substrate ; Berichtszeitraum: 01.07.2006 - 30.06.2010

Autor: Fraunhofer-Institut Für Angewandte Festkörperphysik

Ill., graph. Darst.

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Hydrid-Gasphasenepitaxie von versetzungsarmen und freistehenden GaN-Schichten

Autor: Hennig, Christian

Diese Arbeit beschreibt die Herstellung von versetzungsreduzierten und freistehenden GaN-Schichten auf der Basis der Selbstablösung von einem Fremdsubstrat. Die wesentlichen Teilaspekte dabei sind das Wachstum dicker GaN-Schichten mittels Hydridgasp

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