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pro vyhledávání: '"Hydridgasphasenepitaxie"'
Autor:
Fleischmann, Simon
Diese Arbeit bearbeitet grundlegende Probleme bei der Abscheidung von AlGaN mittels Hydridgasphasenepitaxie (HVPE). Die Ergebnisse eröffnen die Möglichkeit, dicke AlGaN-Schichten mittels HVPE als Substrate für AlGaN-basierte Bauelemente herzustell
Autor:
Hennig, Christian
Diese Arbeit beschreibt die Herstellung von versetzungsreduzierten und freistehenden GaN-Schichten auf der Basis der Selbstablösung von einem Fremdsubstrat. Die wesentlichen Teilaspekte dabei sind das Wachstum dicker GaN-Schichten mittels Hydridgasp
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a56e8ea34d5d10e299ef259287770eea
Ill., graph. Darst.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::79b69cdcbf5f8ebf6748b015f7408f48
Autor:
Hennig, Christian
Diese Arbeit beschreibt die Herstellung von versetzungsreduzierten und freistehenden GaN-Schichten auf der Basis der Selbstablösung von einem Fremdsubstrat. Die wesentlichen Teilaspekte dabei sind das Wachstum dicker GaN-Schichten mittels Hydridgasp
Autor:
Brückner, Peter
Diese Arbeit befasst sich mit der Herstellung von freistehenden Galliumnitrid-Schichten mit Hilfe der Hydridgasphasenepitaxie (HVPE). Für die Steigerung der Qualität, Effizienz und Ausbeute bei der Herstellung moderner elektronischer und optoelektr
Autor:
Karow, Matthias M.
Industrial laser systems for material processing applications rely on the availability of highly efficient, high-brightness diode lasers. GaAs-based broad-area laser bars play a vital role in such applications as pump sources for high-beam-quality so
Autor:
Stoppel, Dimitri
For frequencies above 300 GHz applications are still in the research state since commercially available systems are missing. This dissertation shows three key aspects in process development that are now part of a standard indium phosphide (InP) trans
Autor:
Rauch, Simon
The beam quality and lifetime of gain-guided broad-area laser diodes degrades with increasing optical output power: The near field is progressively narrowed by thermo-optic effects, leading to an enhanced optical facet load and an over-proportionate
Autor:
Zeghuzi, Anissa
Broad-area lasers are edge-emitting semiconductor lasers with a wide lateral emission aperture. This feature enables high output powers but also diminishes the lateral beam quality and results in their inherently non-stationary behavior. Research in