Zobrazeno 1 - 10 of 21 pro vyhledávání: '"Hyder, S. B."'
1
Akademický článek
Quantum efficiency of InP field-assisted photocathodes.
Autor: Maloney, T. J., Burt, M. G., Escher, J. S., Gregory, P. E., Hyder, S. B., Antypas, G. A.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; May1980, Vol. 51 Issue 5, p2879-2883, 5p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Trapping effects in silver-doped mercuric iodide crystals.
Autor: Hyder, S. B.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jan1977, Vol. 48 Issue 1, p313-319, 7p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Transferred-electron photoemission to 1.65 μm from InGaAs.
Autor: Escher, J. S., Gregory, P. E., Hyder, S. B., Sankaran, R.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Apr1978, Vol. 49 Issue 4, p2591-2592, 2p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Effect of Dislocation Density on the Epitaxial Growth of Silver.
Autor: Hyder, S. B., Wilkov, M. A.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Apr1967, Vol. 38 Issue 5, p2386-2387, 2p
Zobrazit plný text záznamu
5
Periodical
In-situ synthesis and growth of indium phosphide
Autor: Hyder, S. B., Holloway, C. J.
Publikováno v: Journal of Electronic Materials; May 1983, Vol. 12 Issue: 3 p575-585, 11p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Vapor-phase epitaxial growth of InGaAs lattice matched to (100) InP for photodiode application.
Autor: Hyder, S. B., Saxena, R. R., Chiao, S. H., Yeats, R.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 1979, Vol. 35 Issue 10, p787-789, 3p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Vapor-phase epitaxial growth of quaternary In1-xGaxAsyP1-y in the 0.75-1.35-eV band-gap range.
Autor: Hyder, S. B., Saxena, R. R., Hooper, C. C.
Publikováno v: Applied Physics Letters; May1979, Vol. 34 Issue 9, p584-586, 3p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
The incorporation of Ga during LPE growth of In0.53Ga0.47As on (111)B and (100) InP substrates.
Autor: Antypas, G. A., Houng, Y. M., Hyder, S. B., Escher, J. S., Gregory, P. E.
Publikováno v: Applied Physics Letters; Sep1978, Vol. 33 Issue 5, p463-465, 3p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Liquid-phase-epitaxial growth of lattice-matched In0.53Ga0.47As on (100) -oriented InP.
Autor: Hyder, S. B., Antypas, G. A., Escher, J. S., Gregory, P. E.
Publikováno v: Applied Physics Letters; Nov1977, Vol. 31 Issue 9, p551-553, 3p
Zobrazit plný text záznamu
10
Periodical
The incorporation of Ga during LPE growth of In0.53Ga0.47As on (111)Band (100) InP substrates
Autor: Antypas, G. A., Houng, Y. M., Hyder, S. B., Escher, J. S., Gregory, P. E.
Publikováno v: Applied Physics Letters; September 1978, Vol. 33 Issue: 5 p463-465, 3p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje