Hydrogen patterning of Ga1-xMnxAs for planar spintronics

Autor: Farshchi, R, Ashby, PD, Hwang, DJ, Grigoropoulos, CP, Chopdekar, RV, Suzuki, Y, Dubon, OD

Publikováno v: Farshchi, R; Ashby, PD; Hwang, DJ; Grigoropoulos, CP; Chopdekar, RV; Suzuki, Y; et al.(2007). Hydrogen patterning of Ga1-xMnxAs for planar spintronics. Physica B: Condensed Matter, 401-402, 447-450. doi: 10.1016/j.physb.2007.08.208. UC Berkeley: Retrieved from: http://www.escholarship.org/uc/item/65p8778b

We demonstrate two patterning techniques based on hydrogen passivation of Ga1-xMnxAs to produce isolated ferromagnetically active regions embedded uniformly in a paramagnetic, insulating host. The first method consists of selective hydrogenation of G

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______325::d7fbf84ce3f0aa2976e22cb1e18acb85
http://www.escholarship.org/uc/item/65p8778b

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.