Zobrazeno 1 - 10
of 39
pro vyhledávání: '"Hussy, S."'
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2008 310(4):738-747
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2008 311(1):62-65
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2006 297(1):133-137
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2006 292(2):201-205
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Hussy, S., Meissner, E., Birkmann, B., Brauer, I., Off, J., Scholz, F., Strunk, H.P., Müller, G.
In this paper alpha-plane GaN-layers, grown by two different techniques are compared, mainly focusing on the surface morphology and microstructure of the samples: Layers grown by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) exhibit a flat surface interr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::182712074b0bf0647c33228c6f0b6008
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/211706
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/211706
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Technology of Gallium Nitride Crystal Growth; 2010, p245-273, 29p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.