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pro vyhledávání: '"Hussein, Emad Hameed"'
Autor:
Hussein, Emad Hameed
In dieser Arbeit wird das epitaktische Wachstum von GaP/Si Heterostrukturen zur Herstellung von rauscharmen GaP/Si Nanodiodenarrays untersucht, wobei eine top-down Ätztechnik zur Herstellung der verwendeten Nanodiodenarrays genutzt wurde. Zur Unters
Externí odkaz:
http://edoc.hu-berlin.de/18452/18345
Autor:
Niu, Gang, Leake, Steven John, Skibitzki, Oliver, Niermann, Tore, Carnis, Jerome, Kießling, Felix, Hatami, Fariba, Hussein, Emad Hameed, Schubert, Markus Andreas, Zaumseil, Peter, Capellini, Giovanni, Masselink, William Ted, Ren, Wei, Ye, Zuo-Guang, Lehmann, Michael, Schülli, Tobias, Schroeder, Thomas, Richard, Marie-Ingrid
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3668::852d039ef7eb91000d8aa49c4615d457
https://hdl.handle.net/11590/352345
https://hdl.handle.net/11590/352345
Autor:
Hussein, Emad Hameed1 emadh67@yahoo.com
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2009, Vol. 12 Issue 4, p424-428. 5p.
Autor:
Gang, Niu, Capellini, Giovanni, Hatami, Fariba, DI BARTOLOMEO, Antonio, Niermann, Tore, Hussein, Emad Hameed, Schubert, Markus A., Krause, Hans Michael, Zaumseil, Peter, Skibitzki, Oliver, Masselink, William T., Lehmann, Michael, Xie, Ya Hong, Schroeder, Thomas
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3666::7df1ce1c2460b7725a5fe2f4b2f52910
http://hdl.handle.net/11386/4675669
http://hdl.handle.net/11386/4675669
Akademický článek
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Autor:
Markus Andreas Schubert, Tore Niermann, Fariba Hatami, Grzegorz Lupina, Emad H. Hussein, Peter Zaumseil, William Ted Masselink, Gang Niu, Antonio Di Bartolomeo, Thomas Schroeder, H. M. Krause, Ya-Hong Xie, Oliver Skibitzki, Michael Lehmann, Giovanni Capellini
Publikováno v:
ACS applied materialsinterfaces. 8(40)
The epitaxial integration of highly heterogeneous material systems with silicon (Si) is a central topic in (opto-)electronics owing to device applications. InP could open new avenues for the realization of novel devices such as high-mobility transist
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::78bc7288ecfd926755ee4609e6fc7a27
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/27642767
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/27642767