Výsledky vyhledávání - "Husˇeková, K."

Akademický článek

Application of Ru-based gate materials for CMOS technology

Autor: T˘apajna, M. ^*, Písec˘ny, P., Lupták, R., Hus˘eková, K., Fröhlich, K., Harmatha, L., Hooker, J.C., Roozeboom, F., Jergel, J.

Publikováno v: In Materials Science in Semiconductor Processing 2004 7(4):271-276

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Defect states characterization of non-annealed and annealed ZrO2/InAlN/GaN structures by capacitance measurements.

Autor: Kordosˇ, P., Stoklas, R., Gregusˇová, D., Husˇeková, K., Carlin, J.-F., Grandjean, N.

Publikováno v: Applied Physics Letters; 2/11/2013, Vol. 102 Issue 6, p063502, 4p, 4 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Electrical properties of InAlN/GaN high electron mobility transistor with Al2O3, ZrO2, and GdScO3 gate dielectrics.

Autor: Cˇicˇo, K., Husˇeková, K., Tˇapajna, M., Gregusˇová, D., Stoklas, R., Kuzmík, J., Carlin, J.-F., Grandjean, N., Pogany, D., Fröhlich, K.

Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Nanotechnology & Microelectronics; Jan2011, Vol. 29 Issue 1, p01A808, 5p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Atomic layer deposition grown metal-insulator-metal capacitors with RuO2 electrodes and Al-doped rutile TiO2 dielectric layer.

Autor: Hudec, B., Husˇeková, K., Dobrocˇka, E., Aarik, J., Rammula, R., Kasikov, A., Tarre, A., Vincze, A., Fröhlich, K.

Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Nanotechnology & Microelectronics; Jan2011, Vol. 29 Issue 1, p01AC09, 5p

Zobrazit plný text záznamu