Zobrazeno 1 - 10
of 244
pro vyhledávání: '"Hurley, Paul K"'
Autor:
McCauley, Mairi, Ansari, Lida, Gity, Farzan, Rogers, Matthew, Burton, Joel, Sasaki, Satoshi, Ramasse, Quentin, Knox, Craig, Hurley, Paul K, MacLaren, Donald, Moorsom, Timothy
Topological Insulators (TIs) present an interesting materials platform for nanoscale, high frequency devices because they support high mobility, low scattering electronic transport within confined surface states. However, a robust methodology to cont
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2410.23983
Autor:
Maleki-Ghaleh, Hossein, Moradpur-Tari, Ehsan, Shakiba, Mohammad, Paczesny, Jan, Hurley, Paul K., Siadati, M. Hossein, Ansari, Lida, Gity, Farzan
Publikováno v:
In Journal of Physics and Chemistry of Solids July 2024 190
Autor:
Grillo, Alessandro, Faella, Enver, Pelella, Aniello, Giubileo, Filippo, Ansari, Lida, Gity, Farzan, Hurley, Paul K., McEvoy, Niall, Di Bartolomeo, Antonio
Publikováno v:
Adv. Funct. Mater. 2021, 2105722
Platinum diselenide (PtSe_2) field-effect transistors with ultrathin channel regions exhibit p-type electrical conductivity that is sensitive to temperature and environmental pressure. Exposure to a supercontinuum white light source reveals that posi
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2107.09492
PtSe$_2$ ultrathin films are used as the channel of back-gated field-effect transistors (FETs) that are investigated at different temperatures and under super-continuous white laser irradiation. The temperature-dependent behavior confirms the semicon
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2007.05842
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Zhussupbekov, Kuanysh, Ansari, Lida, Elibol, Kenan, Zhussupbekova, Ainur, Kotakoski, Jani, Shvets, Igor V., Duesberg, Georg S., Hurley, Paul K., McEvoy, Niall, Ó Coileáin, Cormac, Gity, Farzan
Publikováno v:
In Applied Materials Today December 2023 35
Autor:
Intonti, Kimberly, Coleman, Emma, Blake, Alan, Lyons, Colin, Hydes, Alan, Di Bartolomeo, Antonio, Gity, Farzan, Hurley, Paul K.
Publikováno v:
In Solid State Electronics September 2023 207
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Density functional theory paired with a first order many-body perturbation theory correction is applied to determine formation energies and charge transition energies for point defects in bulk In_0.53Ga_0.47As and for models of the In_0.53Ga_0.47As/A
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1609.07624