Výsledky vyhledávání

Anodisation of gridded silicon field emitter arrays

Autor: Huang, M, Huq, SE, Prewett, PD, Smith, GDW, Wilshaw, PR, KOREA, EDIRA

Field emission characterisation of gridded silicon FEAs was carried out before and after anodisation. Each sample contains ten gridded FEAs with array sizes varying from I to 10x10. For each sample, both current-voltage and current-time measurements

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::3ae63846d8eb3264908bafed73e6e4b4
https://ora.ox.ac.uk/objects/uuid:2a16dc79-4e2e-4012-bcd6-e446c68dbddb

Zobrazit plný text záznamu

A field effect spacecraft neutraliser for fundamental physics missions

Autor: Kent, B, Nicolini, D, Huq, SE, Aplin, K, Stevens, R, Wang, L, Malik, A

We describe the design, construction and testing of a field effect emitter array, a low power source of electrons providing up to 6mA, for spacecraft neutralising. The emitter array has been designed and engineered to be suitable for integration into

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::60914c8ab0a2dd5afbca379db893632c
http://ora.ox.ac.uk/objects/uuid:3cb367d5-311d-49d3-bfd5-b2e0543b119f

Zobrazit plný text záznamu

Microfabrication and characterisation of gridded polycrystalline silicon field emitter devices

Autor: Huq, SE, Huang, M, Wilshaw, P, Prewett, P, Korea, E

Publikováno v: IVMC'97 - 1997 10TH INTERNATIONAL VACUUM MICROELECTRONICS CONFERENCE, TECHNICAL DIGEST 10th International Vacuum Microelectronics Conference.

Using state of the art microfabrication techniques including high resolution electron beam lithography and plasma dry etching, uniform arrays of sharp polysilicon field emitters have been fabricated in gated configuration. Emission currents up to 2.5

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::a264b1e25de8e41713ad41214b28dd35
http://ora.ox.ac.uk/objects/uuid:9e15cf7e-9348-4e4b-ab26-3b04242cb981

Zobrazit plný text záznamu

Fabrication of gated polycrystalline silicon field emitters

Autor: Huq, SE, Huang, M, Wilshaw, P, Prewett, P, Sci, R

Publikováno v: IVMC '96 - 9TH INTERNATIONAL VACUUM MICROELECTRONICS CONFERENCE, TECHNICAL DIGEST 9th International Vacuum Microelectronics Conference(IVMC'96).

Polycrystalline silicon is currently being investigated as the cathode material for flat panel displays using field emission. Conventional silicon microfabrication techniques have been adapted to produce highly uniform arrays of gridded polysilicon f

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::3441273dfd860c4c00c5c42b07cbbe7f
http://ora.ox.ac.uk/objects/uuid:e1cc9a66-f5c0-4b79-84e3-ba90d2acff25

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání