Zobrazeno 1 - 10
of 72
pro vyhledávání: '"Hung, Terry"'
Autor:
Akhurst, Tim, Alipour, Ramin, Bailey, Dale, Banks, Patricia, Beaulieu, Alexis, Campbell, Louise, Crumbaker, Megan, Dhiantravan, Nattakorn, Hamid, Anis, Haskali, Mohammad, Hung, Terry, Kong, Grace, Lawrence, Nick, Lewin, Jeremy, McCarthy, Michael, Moodie, Kate, Murphy, Declan, Nguyen, Andrew, Pook, David, Ravi Kumar, Aravind, Roach, Paul, Roselt, Peter, Saghebi, Javad, Schembri, Geoff, Spain, Lavinia, Subramaniam, Shalini, Thang, Sue Ping, Thomas, Paul, Tran, Ben, Wallace, Roslyn, Yip, Sonia, Hofman, Michael S *, Emmett, Louise, Sandhu, Shahneen, Iravani, Amir, Buteau, James P, Joshua, Anthony M, Goh, Jeffrey C, Pattison, David A, Tan, Thean Hsiang, Kirkwood, Ian D, Ng, Siobhan, Francis, Roslyn J, Gedye, Craig, Rutherford, Natalie K, Weickhardt, Andrew, Scott, Andrew M, Lee, Sze-Ting, Kwan, Edmond M, Azad, Arun A, Ramdave, Shakher, Redfern, Andrew D, Macdonald, William, Guminski, Alex, Hsiao, Edward, Chua, Wei, Lin, Peter, Zhang, Alison Yan, Stockler, Martin R, Williams, Scott G, Martin, Andrew J, Davis, Ian D
Publikováno v:
In The Lancet Oncology January 2024 25(1):99-107
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Pang, Chin-Sheng, Hung, Terry Y. T., Khosravi, Ava, Addou, Rafik, Wang, Qingxiao, Kim, Moon J., Wallace, Robert M., Chen, Zhihong
Publikováno v:
Adv. Electron. Mater. 2020, 1901304
Two-dimensional transitional metal dichalcogenide (TMD) field-effect transistors (FETs) are promising candidates for future electronic applications, owing to their excellent transport properties and potential for ultimate device scaling. However, it
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1910.08619
Giant spin Hall effect (GSHE) has been observed in heavy metal materials such as Ta, Pt, and W, where spins are polarized in the surface plane and perpendicular to the charge current direction. Spins generated in these materials have successfully swi
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1908.01396
Publikováno v:
Science Advances, Vol. 5, no. 4, eaau6478 (2019)
The valley degree of freedom of electrons in two-dimensional transition metal dichalcogenides has been extensively studied by theory, optical and optoelectronic experiments. However, generation and detection of pure valley current without relying on
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1805.06054
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Wu, Wen-Chia, Hung, Terry Y. T., Sathaiya, D. Mahaveer, Arutchelvan, Goutham, Hsu, Chen-Feng, Su, Sheng-Kai, Chou, Ang Sheng, Chen, Edward, Shen, Yun-Yang, Liew, San Lin, Hou, Vincent, Lee, T. Y., Cai, Jin, Wu, Chung-Cheng, Wu, Jeff, Wong, H.-S. Philip, Cheng, Chao-Ching, Chang, Wen-Hao, Radu, Iuliana P., Chien, Chao-Hsin
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; December 2023, Vol. 70 Issue: 12 p6680-6686, 7p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sun, Zheng, Pang, Chin-Sheng, Wu, Peng, Hung, Terry Y.T., Li, Ming-Yang, Liew, San Lin, Cheng, Chao-Ching, Wang, Han, Wong, H.-S. Philip, Li, Lain-Jong, Radu, Iuliana, Chen, Zhihong, Appenzeller, Joerg
Publikováno v:
ACS Nano; 9/27/2022, Vol. 16 Issue 9, p14942-14950, 9p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.