Výsledky vyhledávání - "Hundhausen, M."

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Report

Contribution of the buffer layer to the Raman spectrum of epitaxial graphene on SiC(0001)

Autor: Fromm, F., Oliveira Jr, M. H., Molina-Sánchez, A., Hundhausen, M., Lopes, J. M. J., Riechert, H., Wirtz, L., Seyller, T.

Publikováno v: New Journal of Physics 15 (2013) 043031

We report a Raman study of the so-called buffer layer with $(6\sqrt3\times6\sqrt3)R30^{\circ}$ periodicity which forms the intrinsic interface structure between epitaxial graphene and SiC(0001). We show that this interface structure leads to a nonvan

Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/1212.1647

Zobrazit plný text záznamu

Report

The quasi-free-standing nature of graphene on H-saturated SiC(0001)

Autor: Speck, F., Jobst, J., Fromm, F., Ostler, M., Waldmann, D., Hundhausen, M., Weber, H. B., Seyller, Th.

Publikováno v: Appl. Phys. Lett. 99, 122106 (2011)

We report on an investigation of quasi-free-standing graphene on 6H-SiC(0001) which was prepared by intercalation of hydrogen under the buffer layer. Using infrared absorption spectroscopy we prove that the SiC(0001) surface is saturated with hydroge

Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/1103.3997

Zobrazit plný text záznamu